Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - matice, předběžné > NSBA114EDXV6T5G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2538148NSBA114EDXV6T5G Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBA114EDXV6T5G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    NSBA114EDXV6T5G
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    NSBA114EDXV6T5G.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    50V
  • VCE Saturation (Max) @ IB, IC
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistor Type
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-563
  • Série
    -
  • Resistor - emitorová základna (R2)
    10 kOhms
  • Rezistor - základna (R1)
    10 kOhms
  • Power - Max
    500mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    SOT-563, SOT-666
  • Ostatní jména
    NSBA114EDXV6T5GOS
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - Přechod
    -
  • Detailní popis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 10V
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    500nA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    100mA
  • Číslo základní části
    NSBA1*

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „NSBA114EDXV6T5G“.
NSBA114YDP6T5G

NSBA114YDP6T5G

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBA114YDXV6T1

NSBA114YDXV6T1

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSB8MTHE3_A/I

NSB8MTHE3_A/I

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
NSB9703

NSB9703

Popis: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'

Výrobci: Desco
Na skladě
RFQ
NSBA115EDXV6T1G

NSBA115EDXV6T1G

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBA114EDXV6T1G

NSBA114EDXV6T1G

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBA114EDXV6T5

NSBA114EDXV6T5

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBA114TDXV6T1

NSBA114TDXV6T1

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBA114YF3T5G

NSBA114YF3T5G

Popis: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBA114TDXV6T5

NSBA114TDXV6T5

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSB8MTHE3_A/P

NSB8MTHE3_A/P

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
NSBA113EDXV6T1

NSBA113EDXV6T1

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBA114TDP6T5G

NSBA114TDP6T5G

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBA114TF3T5G

NSBA114TF3T5G

Popis: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBA114EDP6T5G

NSBA114EDP6T5G

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSB9435T1G

NSB9435T1G

Popis: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBA113EF3T5G

NSBA113EF3T5G

Popis: TRANS PREBIAS DUAL PNP

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBA114YDXV6T1G

NSBA114YDXV6T1G

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBA113EDXV6T1G

NSBA113EDXV6T1G

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBA114EF3T5G

NSBA114EF3T5G

Popis: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.