Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - jednotné, předběžn > NSBA113EF3T5G

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

6557791

NSBA113EF3T5G Image.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBA113EF3T5G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

8000+

$0.098

Online poptávka

Specifikace

Part Number

NSBA113EF3T5G
Výrobce / značka

AMI Semiconductor/onsemi
Množství zásob

Na skladě
Popis

TRANS PREBIAS DUAL PNP
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

NSBA113EF3T5G.pdf
Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)

50V
VCE Saturation (Max) @ IB, IC

250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type

PNP - Pre-Biased
Dodavatel zařízení Package

SOT-1123
Série

-
Resistor - emitorová základna (R2)

1 kOhms
Rezistor - základna (R1)

1 kOhms
Power - Max

254mW
Obal

Tape & Reel (TR)
Paket / krabice

SOT-1123
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby

6 Weeks
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Detailní popis

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

3 @ 5mA, 10V
Aktuální - sběratel Cutoff (Max)

500nA
Proud - Collector (Ic) (Max)

100mA

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

What is an embedded system?

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „NSBA113EF3T5G“.

NSBA114EF3T5G

Popis: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

NSBA113EDXV6T1G

NSBA113EDXV6T1G

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

NSBA114TDXV6T1

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

NSBA114EDXV6T5G

NSBA114EDXV6T5G

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

NSBA114EDXV6T1G

NSBA114EDXV6T1G

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

NSBA114EDXV6T5

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

NSBA114TDXV6T5

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

NSB8MTHE3_A/P

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

NSBA114TDP6T5G

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

NSB8MTHE3_A/I

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

NSB9435T1G

Popis: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

NSBA114TF3T5G

Popis: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

NSBA113EDXV6T1

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

NSB8MT-E3/81

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

NSB8MTHE3/45

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

NSB9703

NSB9703

Popis: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'

Výrobci: Desco

Na skladě

NSBA114YDP6T5G

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

NSB8MT-E3/45

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

NSB8MTHE3/81

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

NSBA114EDP6T5G

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.