Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > HGTG10N120BND
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4022757HGTG10N120BND Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGTG10N120BND

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$3.81
10+
$3.419
450+
$2.658
900+
$2.385
1350+
$2.011
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    HGTG10N120BND
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 1200V 35A 298W TO247
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    HGTG10N120BND.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    1200V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    2.7V @ 15V, 10A
  • Zkušební podmínky
    960V, 10A, 10 Ohm, 15V
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    23ns/165ns
  • přepínání energie
    850µJ (on), 800µJ (off)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-247
  • Série
    -
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    70ns
  • Power - Max
    298W
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    NPT
  • Gate Charge
    100nC
  • Detailní popis
    IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-247
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    80A
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    35A

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „HGTG10N120BND“.
HGTG12N60A4D

HGTG12N60A4D

Popis: IGBT 600V 54A 167W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTG20N60A4D

HGTG20N60A4D

Popis: IGBT 600V 70A 290W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTG18N120BN

HGTG18N120BN

Popis: IGBT 1200V 54A 390W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGT1S20N60A4S9A

HGT1S20N60A4S9A

Popis: IGBT 600V 70A 290W TO263AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTG12N60C3D

HGTG12N60C3D

Popis: IGBT 600V 24A 104W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTG12N60A4

HGTG12N60A4

Popis: IGBT 600V 54A 167W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTG11N120CN

HGTG11N120CN

Popis: IGBT 1200V 43A 298W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTG11N120CND

HGTG11N120CND

Popis: IGBT 1200V 43A 298W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTG20N60A4

HGTG20N60A4

Popis: IGBT 600V 70A 290W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGT1S7N60A4DS

HGT1S7N60A4DS

Popis: IGBT 600V 34A 125W TO263AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN

Popis: IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGT1S7N60C3DS9A

HGT1S7N60C3DS9A

Popis: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGT1S20N60C3S9A

HGT1S20N60C3S9A

Popis: IGBT 600V 45A 164W TO263AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTD3N60C3S9A

HGTD3N60C3S9A

Popis: IGBT 600V 6A 33W TO252AA

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGT1S7N60C3DS

HGT1S7N60C3DS

Popis: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

Popis: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTD7N60C3S9A

HGTD7N60C3S9A

Popis: IGBT 600V 14A 60W TO252AA

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A

Popis: IGBT 600V 17A 70W D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTG12N60B3

HGTG12N60B3

Popis: IGBT 600V 27A 104W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTG18N120BND

HGTG18N120BND

Popis: IGBT 1200V 54A 390W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.