Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > HGTD3N60C3S9A
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3994083

HGTD3N60C3S9A

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    HGTD3N60C3S9A
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 600V 6A 33W TO252AA
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    HGTD3N60C3S9A.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    600V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    2V @ 15V, 3A
  • Zkušební podmínky
    480V, 3A, 82 Ohm, 15V
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    -
  • přepínání energie
    85µJ (on), 245µJ (off)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-252AA
  • Série
    -
  • Power - Max
    33W
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    -
  • Gate Charge
    10.8nC
  • Detailní popis
    IGBT 600V 6A 33W Surface Mount TO-252AA
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    24A
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    6A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „HGTD3N60C3S9A“.
HGTG18N120BND

HGTG18N120BND

Popis: IGBT 1200V 54A 390W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTG12N60B3

HGTG12N60B3

Popis: IGBT 600V 27A 104W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGT1S7N60C3DS

HGT1S7N60C3DS

Popis: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A

Popis: IGBT 600V 17A 70W D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTG12N60C3D

HGTG12N60C3D

Popis: IGBT 600V 24A 104W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN

Popis: IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTG11N120CND

HGTG11N120CND

Popis: IGBT 1200V 43A 298W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTG18N120BN

HGTG18N120BN

Popis: IGBT 1200V 54A 390W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGT1S20N60A4S9A

HGT1S20N60A4S9A

Popis: IGBT 600V 70A 290W TO263AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGT1S7N60C3DS9A

HGT1S7N60C3DS9A

Popis: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

Popis: IGBT 1200V 35A 298W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGT1S7N60A4DS

HGT1S7N60A4DS

Popis: IGBT 600V 34A 125W TO263AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGT1S20N60C3S9A

HGT1S20N60C3S9A

Popis: IGBT 600V 45A 164W TO263AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGT1S20N36G3VL

HGT1S20N36G3VL

Popis: IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTG12N60A4D

HGTG12N60A4D

Popis: IGBT 600V 54A 167W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTG11N120CN

HGTG11N120CN

Popis: IGBT 1200V 43A 298W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGT1S20N35G3VLS

HGT1S20N35G3VLS

Popis: IGBT 380V 20A 150W TO263AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTG12N60A4

HGTG12N60A4

Popis: IGBT 600V 54A 167W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

Popis: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTD7N60C3S9A

HGTD7N60C3S9A

Popis: IGBT 600V 14A 60W TO252AA

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.