Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > FQN1N60CBU
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
116544

FQN1N60CBU

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    FQN1N60CBU
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    FQN1N60CBU.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-92-3
  • Série
    QFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    11.5 Ohm @ 150mA, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    1W (Ta), 3W (Tc)
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    170pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    6.2nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    600V
  • Detailní popis
    N-Channel 600V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    300mA (Tc)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „FQN1N60CBU“.
FQN1N50CTA

FQN1N50CTA

Popis: MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
SFP9640

SFP9640

Popis: MOSFET P-CH 200V 11A TO-220

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IRF820ASTRL

IRF820ASTRL

Popis: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
IRFS4510TRLPBF

IRFS4510TRLPBF

Popis: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
TPS1100PWR

TPS1100PWR

Popis: MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP

Výrobci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na skladě
RFQ
FQNL1N50BTA

FQNL1N50BTA

Popis: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQNL1N50BBU

FQNL1N50BBU

Popis: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQN1N60CTA

FQN1N60CTA

Popis: MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IPC60R190P6X7SA1

IPC60R190P6X7SA1

Popis: MOSFET N-CH

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
STW9NK70Z

STW9NK70Z

Popis: MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-247

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
IRFZ34E

IRFZ34E

Popis: MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
SIHB15N50E-GE3

SIHB15N50E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
FQNL2N50BBU

FQNL2N50BBU

Popis: MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQNL2N50BTA

FQNL2N50BTA

Popis: MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVMFS6B03NWFT1G

NVMFS6B03NWFT1G

Popis: MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQN1N50CBU

FQN1N50CBU

Popis: MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IPD90N10S406ATMA1

IPD90N10S406ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
APT75M50B2

APT75M50B2

Popis: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
DMT3003LFG-13

DMT3003LFG-13

Popis: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
STU150N3LLH6

STU150N3LLH6

Popis: MOSFET N-CH 30V 80A IPAK

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.