Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > FQNL2N50BTA
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5821948FQNL2N50BTA Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQNL2N50BTA

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.03
10+
$0.912
100+
$0.721
500+
$0.559
1000+
$0.441
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    FQNL2N50BTA
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.FQNL2N50BTA.pdf
    2.FQNL2N50BTA.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3.7V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-92-3
  • Série
    QFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    5.3 Ohm @ 175mA, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    1.5W (Tc)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
  • Ostatní jména
    FQNL2N50BTACT
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    6 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    230pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    8nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    500V
  • Detailní popis
    N-Channel 500V 350mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92-3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    350mA (Tc)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „FQNL2N50BTA“.
FQNL1N50BTA

FQNL1N50BTA

Popis: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
SI3429EDV-T1-GE3

SI3429EDV-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
GP2M010A065H

GP2M010A065H

Popis: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
FDFMA2P029Z

FDFMA2P029Z

Popis: MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQNL2N50BBU

FQNL2N50BBU

Popis: MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQN1N50CBU

FQN1N50CBU

Popis: MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
BUZ31 E3045A

BUZ31 E3045A

Popis: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IRLR2905ZTRPBF

IRLR2905ZTRPBF

Popis: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
SIHF7N60E-GE3

SIHF7N60E-GE3

Popis: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
FCD5N60-F085

FCD5N60-F085

Popis: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
AOB2910L

AOB2910L

Popis: MOSFET N CH 100V 6A TO263

Výrobci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na skladě
RFQ
2SK4222

2SK4222

Popis: MOSFET N-CH 600V 23A TO-3PB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQN1N50CTA

FQN1N50CTA

Popis: MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQN1N60CBU

FQN1N60CBU

Popis: MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
SI4840BDY-T1-E3

SI4840BDY-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
FQN1N60CTA

FQN1N60CTA

Popis: MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IRF737LCS

IRF737LCS

Popis: MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
AUIRF7769L2TR

AUIRF7769L2TR

Popis: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
DMN3112SSS-13

DMN3112SSS-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
FQNL1N50BBU

FQNL1N50BBU

Popis: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.