Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > FCU850N80Z
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6392111FCU850N80Z Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU850N80Z

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$2.50
10+
$2.254
100+
$1.811
500+
$1.409
1000+
$1.167
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    FCU850N80Z
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    FCU850N80Z.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4.5V @ 600µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    IPAK (TO-251)
  • Série
    SuperFET® II
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    850 mOhm @ 3A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    75W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    52 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1315pF @ 100V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    800V
  • Detailní popis
    N-Channel 800V 6A (Tc) 75W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „FCU850N80Z“.
SIR464DP-T1-GE3

SIR464DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
FCU-7

FCU-7

Popis: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
NTTFS4C13NTAG

NTTFS4C13NTAG

Popis: MOSFET N-CH 30V 38A U8FL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
MTP2955V

MTP2955V

Popis: MOSFET P-CH 60V 12A TO-220AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IPB45N06S4L08ATMA1

IPB45N06S4L08ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
FCU4300N80Z

FCU4300N80Z

Popis: MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FCU600N65S3R0

FCU600N65S3R0

Popis: SUPERFET3 650V IPAK PKG

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FCU5N60TU

FCU5N60TU

Popis: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
STFW24N60M2

STFW24N60M2

Popis: MOSFET N-CH 600V 18A TO-3PF

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
NTD18N06-001

NTD18N06-001

Popis: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FCU3400N80Z

FCU3400N80Z

Popis: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IPC60R125C6UNSAWNX6SA1

IPC60R125C6UNSAWNX6SA1

Popis: MOSFET N-CH BARE DIE

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
RJU002N06FRAT106

RJU002N06FRAT106

Popis: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
FCU2250N80Z

FCU2250N80Z

Popis: MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FCU-2

FCU-2

Popis: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0

Popis: MOSFET N-CH 600V IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDD120AN15A0

FDD120AN15A0

Popis: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FCUL0530-R47M=P3

FCUL0530-R47M=P3

Popis: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

Výrobci: Murata Electronics
Na skladě
RFQ
FCU900N60Z

FCU900N60Z

Popis: MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FCU7N60TU

FCU7N60TU

Popis: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.