Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > FCU600N65S3R0
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1379504FCU600N65S3R0 Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU600N65S3R0

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.67
75+
$1.333
150+
$1.166
525+
$0.905
1050+
$0.714
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    FCU600N65S3R0
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    SUPERFET3 650V IPAK PKG
  • Stav volného vedení / RoHS
  • Datasheety
    FCU600N65S3R0.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4.5V @ 600µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    I-PAK
  • Série
    SuperFET® III
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 3A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    54W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Ostatní jména
    FCU600N65S3R0-ND
    FCU600N65S3R0OS
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    Not Applicable
  • Vedoucí volný stav
    Lead free
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    465pF @ 400V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    650V
  • Detailní popis
    N-Channel 650V 6A (Tc) 54W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „FCU600N65S3R0“.
FCU3400N80Z

FCU3400N80Z

Popis: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FCUL0530-R47M=P3

FCUL0530-R47M=P3

Popis: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

Výrobci: Murata Electronics
Na skladě
RFQ
FCU2250N80Z

FCU2250N80Z

Popis: MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FCU7N60TU

FCU7N60TU

Popis: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FCU850N80Z

FCU850N80Z

Popis: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FCU-7

FCU-7

Popis: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
FCU4300N80Z

FCU4300N80Z

Popis: MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
CSD18542KTT

CSD18542KTT

Popis: MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK

Výrobci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na skladě
RFQ
IRFB4115PBF

IRFB4115PBF

Popis: MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
SPI80N06S2-08

SPI80N06S2-08

Popis: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IRLL2703TR

IRLL2703TR

Popis: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
FCU-2

FCU-2

Popis: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
2SK4150TZ-E

2SK4150TZ-E

Popis: MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92

Výrobci: Renesas Electronics America
Na skladě
RFQ
FCU900N60Z

FCU900N60Z

Popis: MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTD4865N-1G

NTD4865N-1G

Popis: MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IRF5800TRPBF

IRF5800TRPBF

Popis: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IXTP06N120P

IXTP06N120P

Popis: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
STD4NK80ZT4

STD4NK80ZT4

Popis: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0

Popis: MOSFET N-CH 600V IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FCU5N60TU

FCU5N60TU

Popis: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.