Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Integrované obvody (IC) > Paměť > W632GG6MB-12
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2068513W632GG6MB-12 Image.Winbond Electronics Corporation

W632GG6MB-12

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$7.08
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    W632GG6MB-12
  • Výrobce / značka
    Winbond Electronics Corporation
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.W632GG6MB-12.pdf
    2.W632GG6MB-12.pdf
  • Napište čas cyklu - slovo,
    -
  • Napětí - Supply
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Technika
    SDRAM - DDR3
  • Dodavatel zařízení Package
    96-VFBGA (13x7.5)
  • Série
    -
  • Obal
    Tray
  • Paket / krabice
    96-VFBGA
  • Provozní teplota
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ paměti
    Volatile
  • Velikost paměti
    2Gb (128M x 16)
  • Paměťové rozhraní
    Parallel
  • Formát paměti
    DRAM
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detailní popis
    SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 20ns 96-VFBGA (13x7.5)
  • Frekvence hodin
    800MHz
  • přístupová doba
    20ns

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „W632GG6MB-12“.
W632GG6MB11I

W632GG6MB11I

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W632GG6MB-12 TR

W632GG6MB-12 TR

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W632GG6MB-15 TR

W632GG6MB-15 TR

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W632GG6MB12I TR

W632GG6MB12I TR

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W632GG6MB15I TR

W632GG6MB15I TR

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W632GG6KB15J

W632GG6KB15J

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W632GG6MB12I

W632GG6MB12I

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W632GG6KB12I

W632GG6KB12I

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W632GG6MB-15

W632GG6MB-15

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W632GG6KB12I TR

W632GG6KB12I TR

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W632GG6KB15I

W632GG6KB15I

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W632GG6KB12J

W632GG6KB12J

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W632GG6MB-11

W632GG6MB-11

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W632GG6MB-11 TR

W632GG6MB-11 TR

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W632GG8AB-12

W632GG8AB-12

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W632GG6MB-09

W632GG6MB-09

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W632GG6KB11I

W632GG6KB11I

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W632GG8AB-11

W632GG8AB-11

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W632GG6KB15I TR

W632GG6KB15I TR

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W632GG6MB15I

W632GG6MB15I

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.