Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SIHD5N50D-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2357186SIHD5N50D-GE3 Image.Vishay Siliconix

SIHD5N50D-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SIHD5N50D-GE3
  • Výrobce / značka
    Vishay / Siliconix
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SIHD5N50D-GE3.pdf
  • Napětí - Test
    325pF @ 100V
  • Napětí - Rozdělení
    TO-252AA
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Série
    -
  • Stav RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    5.3A (Tc)
  • Polarizace
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Ostatní jména
    SIHD5N50D-GE3TR
    SIHD5N50DGE3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní číslo výrobce
    SIHD5N50D-GE3
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    20nC @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    5V @ 250µA
  • FET Feature
    N-Channel
  • Rozšířený popis
    N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    -
  • Popis
    MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    500V
  • kapacitní Ratio
    104W (Tc)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SIHD5N50D-GE3“.
SIHD3N50D-E3

SIHD3N50D-E3

Popis: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHD6N65ET1-GE3

SIHD6N65ET1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHD2N80E-GE3

SIHD2N80E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHD4N80E-GE3

SIHD4N80E-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHD6N65ET4-GE3

SIHD6N65ET4-GE3

Popis: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHD3N50D-GE3

SIHD3N50D-GE3

Popis: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Výrobci: Vishay Siliconix
Na skladě
RFQ
SIHD6N80E-GE3

SIHD6N80E-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 800V TO-252

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHD14N60E-GE3

SIHD14N60E-GE3

Popis: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHB8N50D-GE3

SIHB8N50D-GE3

Popis: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHB6N65E-GE3

SIHB6N65E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHD7N60E-E3

SIHD7N60E-E3

Popis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHD240N60E-GE3

SIHD240N60E-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHD6N65E-GE3

SIHD6N65E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 650V 7A TO252

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHD12N50E-GE3

SIHD12N50E-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 500V DPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHD5N50D-E3

SIHD5N50D-E3

Popis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHD6N65ET5-GE3

SIHD6N65ET5-GE3

Popis: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

Popis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.