Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > TPC8A02-H(TE12L,Q)
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5834691

TPC8A02-H(TE12L,Q)

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    TPC8A02-H(TE12L,Q)
  • Výrobce / značka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.TPC8A02-H(TE12L,Q).pdf
    2.TPC8A02-H(TE12L,Q).pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    8-SOP (5.5x6.0)
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    5.6 mOhm @ 8A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    1W (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1970pF @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 16A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    16A (Ta)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „TPC8A02-H(TE12L,Q)“.
TPC9.1AHM3_A/I

TPC9.1AHM3_A/I

Popis: TVS DIODE 7.78V 13.4V TO277A

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
TPC9.1AHM3_A/H

TPC9.1AHM3_A/H

Popis: TVS DIODE SMPC TO-277A

Výrobci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na skladě
RFQ
TPC8208(TE12L,Q,M)

TPC8208(TE12L,Q,M)

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPC8A06-H(TE12LQM)

TPC8A06-H(TE12LQM)

Popis: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPC8208(TE12L,Q)

TPC8208(TE12L,Q)

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPC8213-H(TE12LQ,M

TPC8213-H(TE12LQ,M

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPC8221-H,LQ(S

TPC8221-H,LQ(S

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPCA8003-H(TE12LQM

TPCA8003-H(TE12LQM

Popis: MOSFET N-CH 30V 35A SOP-8 ADV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPC8408,LQ(S

TPC8408,LQ(S

Popis: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPC9.1AHM3/86A

TPC9.1AHM3/86A

Popis: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC SMPC

Výrobci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na skladě
RFQ
TPC9.1AHM3/87A

TPC9.1AHM3/87A

Popis: TVS DIODE 7.78V 13.4V TO277A

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
TPC8A05-H(TE12L,QM

TPC8A05-H(TE12L,QM

Popis: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPCA8005-H(TE12LQM

TPCA8005-H(TE12LQM

Popis: MOSFET N-CH 30V 27A SOP-8 ADV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPC8405(TE12L,Q,M)

TPC8405(TE12L,Q,M)

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPC9.1HM3/86A

TPC9.1HM3/86A

Popis: TVS DIODE 7.37VWM 13.8VC SMPC

Výrobci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na skladě
RFQ
TPC8223-H,LQ(S

TPC8223-H,LQ(S

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPC9.1HM3/87A

TPC9.1HM3/87A

Popis: TVS DIODE 7.37V 13.8V TO277A

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
TPC8212-H(TE12LQ,M

TPC8212-H(TE12LQ,M

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPC8211(TE12L,Q,M)

TPC8211(TE12L,Q,M)

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPC8407,LQ(S

TPC8407,LQ(S

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.