Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > TK3A60DA(Q,M)
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3047034TK3A60DA(Q,M) Image.Toshiba Semiconductor and Storage

TK3A60DA(Q,M)

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    TK3A60DA(Q,M)
  • Výrobce / značka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.TK3A60DA(Q,M).pdf
    2.TK3A60DA(Q,M).pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4.4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-220SIS
  • Série
    π-MOSVII
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    2.8 Ohm @ 1.3A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    30W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-220-3 Full Pack
  • Ostatní jména
    TK3A60DA(Q)
    TK3A60DA(Q)-ND
    TK3A60DA(QM)
    TK3A60DAQM
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    380pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    9nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    600V
  • Detailní popis
    N-Channel 600V 2.5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    2.5A (Ta)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „TK3A60DA(Q,M)“.
TK39J60W5,S1VQ

TK39J60W5,S1VQ

Popis: MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK39A60W,S4VX

TK39A60W,S4VX

Popis: MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK3P50D,RQ(S

TK3P50D,RQ(S

Popis: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK380P60Y,RQ

TK380P60Y,RQ

Popis: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK35E10K3(S1SS-Q)

TK35E10K3(S1SS-Q)

Popis: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK3R1P04PL,RQ

TK3R1P04PL,RQ

Popis: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK380A60Y,S4X

TK380A60Y,S4X

Popis: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK39N60W,S1VF

TK39N60W,S1VF

Popis: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK35N65W5,S1F

TK35N65W5,S1F

Popis: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK3R1E04PL,S1X

TK3R1E04PL,S1X

Popis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK3A65D(STA4,Q,M)

TK3A65D(STA4,Q,M)

Popis: MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK39N60W5,S1VF

TK39N60W5,S1VF

Popis: MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK39J60W,S1VQ

TK39J60W,S1VQ

Popis: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK35N65W,S1F

TK35N65W,S1F

Popis: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK39N60X,S1F

TK39N60X,S1F

Popis: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK3A65DA(STA4,QM)

TK3A65DA(STA4,QM)

Popis: MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK35S04K3L(T6L1,NQ

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Popis: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK380P65Y,RQ

TK380P65Y,RQ

Popis: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK3R1A04PL,S4X

TK3R1A04PL,S4X

Popis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK3A60DA(STA4,Q,M)

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Popis: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.