Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > TK31E60X,S1X
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2677796TK31E60X,S1X Image.Toshiba Semiconductor and Storage

TK31E60X,S1X

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$5.97
50+
$4.797
100+
$4.371
500+
$3.539
1000+
$2.985
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    TK31E60X,S1X
  • Výrobce / značka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    TK31E60X,S1X.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3.5V @ 1.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-220
  • Série
    DTMOSIV-H
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    88 mOhm @ 9.4A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    230W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-220-3
  • Ostatní jména
    TK31E60X,S1X(S
    TK31E60XS1X
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    3000pF @ 300V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    65nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    Super Junction
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    600V
  • Detailní popis
    N-Channel 600V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-220
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    30.8A (Ta)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „TK31E60X,S1X“.
TK31E60W,S1VX

TK31E60W,S1VX

Popis: MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK34A10N1,S4X

TK34A10N1,S4X

Popis: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK31V60X,LQ

TK31V60X,LQ

Popis: MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK31N60W5,S1VF

TK31N60W5,S1VF

Popis: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK3

TK3

Popis: TERMINAL KIT P184 10EA T49

Výrobci: Vector Electronics & Technology, Inc.
Na skladě
RFQ
TK32A12N1,S4X

TK32A12N1,S4X

Popis: MOSFET N-CH 120V 32A TO-220

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK3434

TK3434

Popis: HOME TAPE KIT - PREMIUM

Výrobci: 3M
Na skladě
RFQ
TK31J60W5,S1VQ

TK31J60W5,S1VQ

Popis: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK31A60W,S4VX

TK31A60W,S4VX

Popis: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ

Popis: MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK30A06N1,S4X

TK30A06N1,S4X

Popis: MOSFET N-CH 60V 30A TO-220

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK31J60W,S1VQ

TK31J60W,S1VQ

Popis: MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK30S06K3L(T6L1,NQ

TK30S06K3L(T6L1,NQ

Popis: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK-3

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK32E12N1,S1X

TK32E12N1,S1X

Popis: MOSFET N CH 120V 60A TO-220

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK33S10N1Z,LQ

TK33S10N1Z,LQ

Popis: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK31N60W,S1VF

TK31N60W,S1VF

Popis: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK31V60W5,LVQ

TK31V60W5,LVQ

Popis: MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK31N60X,S1F

TK31N60X,S1F

Popis: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK30E06N1,S1X

TK30E06N1,S1X

Popis: MOSFET N-CH 60V 43A TO-220

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK34E10N1,S1X

TK34E10N1,S1X

Popis: MOSFET N-CH 100V 75A TO-220

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.