Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - jednotné, předběžn > RN1309(TE85L,F)
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4633913RN1309(TE85L,F) Image.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1309(TE85L,F)

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RN1309(TE85L,F)
  • Výrobce / značka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    RN1309(TE85L,F).pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    50V
  • VCE Saturation (Max) @ IB, IC
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Dodavatel zařízení Package
    USM
  • Série
    -
  • Resistor - emitorová základna (R2)
    22 kOhms
  • Rezistor - základna (R1)
    47 kOhms
  • Power - Max
    100mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    SC-70, SOT-323
  • Ostatní jména
    RN1309(TE85LF)
    RN1309(TE85LF)-ND
    RN1309(TE85LF)TR
    RN1309TE85LF
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - Přechod
    250MHz
  • Detailní popis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    70 @ 10mA, 5V
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    500nA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    100mA
  • Číslo základní části
    RN130*

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „RN1309(TE85L,F)“.
RN1309,LF

RN1309,LF

Popis: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1313(TE85L,F)

RN1313(TE85L,F)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1310(TE85L,F)

RN1310(TE85L,F)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1301,LF

RN1301,LF

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1304,LF

RN1304,LF

Popis: X34 PB-F USM PLN (LF) TRANSISTOR

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1315,LF

RN1315,LF

Popis: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1316,LF

RN1316,LF

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1311,LF

RN1311,LF

Popis: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1302SU,LF

RN1302SU,LF

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Výrobci: Touchstone
Na skladě
RFQ
RN1312(TE85L,F)

RN1312(TE85L,F)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1318(TE85L,F)

RN1318(TE85L,F)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1306,LF

RN1306,LF

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1314(TE85L,F)

RN1314(TE85L,F)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1302,LF

RN1302,LF

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1303(TE85L,F)

RN1303(TE85L,F)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1305,LF

RN1305,LF

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1308,LF

RN1308,LF

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1317(TE85L,F)

RN1317(TE85L,F)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1307,LF

RN1307,LF

Popis: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN125-I/RM

RN125-I/RM

Popis: RF TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL ANT

Výrobci: Micrel / Microchip Technology
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.