Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - jednotné, předběžn > RN1131MFV(TL3,T)
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3210990RN1131MFV(TL3,T) Image.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1131MFV(TL3,T)

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RN1131MFV(TL3,T)
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    50V
  • VCE Saturation (Max) @ IB, IC
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Dodavatel zařízení Package
    VESM
  • Série
    -
  • Rezistor - základna (R1)
    100 kOhms
  • Power - Max
    150mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    SOT-723
  • Ostatní jména
    RN1131MFV(TL3T)TR
    RN1131MFVTL3T
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detailní popis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    100mA
RN114-0.8-02-27M

RN114-0.8-02-27M

Popis: CMC 27MH 800MA 2LN TH

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RN112-2-02-1M0

RN112-2-02-1M0

Popis: CMC 1MH 2A 2LN TH

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RN114-0.3-02-47M

RN114-0.3-02-47M

Popis: CMC 47MH 300MA 2LN TH

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RN113BPC

RN113BPC

Popis: CONN JACK STEREO 6.35MM R/A

Výrobci: Conxall / Switchcraft
Na skladě
RN112-4-02

RN112-4-02

Popis: CMC 700UH 4A 2LN TH

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RN112APC

RN112APC

Popis: CONN JACK MONO 6.35MM R/A

Výrobci: Conxall / Switchcraft
Na skladě
RN114-1-02-15M

RN114-1-02-15M

Popis: CMC 15MH 1A 2LN TH

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RN112-3.6-02-0M4

RN112-3.6-02-0M4

Popis: CMC 400UH 3.6A 2LN TH

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RN112-4-02-0M7

RN112-4-02-0M7

Popis: CMC 700UH 4A 2LN TH

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RN114-0.5-02-39M

RN114-0.5-02-39M

Popis: CMC 39MH 500MA 2LN TH

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RN114-0.3-02

RN114-0.3-02

Popis: CMC 47MH 300MA 2LN TH

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RN1132MFV,L3F

RN1132MFV,L3F

Popis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RN114-1-02

RN114-1-02

Popis: COMMON MODE CHOKE 15MH 1A 2LN TH

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RN112-2-02-1M8

RN112-2-02-1M8

Popis: CMC 1.8MH 2A 2LN TH

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RN1130MFV,L3F

RN1130MFV,L3F

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RN112-2-02

RN112-2-02

Popis: CMC 1.8MH 2A 2LN TH

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RN114-0.5-02

RN114-0.5-02

Popis: CMC 39MH 500MA 2LN TH

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RN112BPC

RN112BPC

Popis: CONN JACK STEREO 6.35MM R/A

Výrobci: Conxall / Switchcraft
Na skladě
RN114-0.8-02

RN114-0.8-02

Popis: CMC 27MH 800MA 2LN TH

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RN112-2.6-02-0M4

RN112-2.6-02-0M4

Popis: CMC 400UH 2.6A 2LN TH

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení