Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - jednotné, předběžn > RN1110MFV,L3F
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3197431RN1110MFV,L3F Image.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110MFV,L3F

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
8000+
$0.029
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RN1110MFV,L3F
  • Výrobce / značka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    RN1110MFV,L3F.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    50V
  • VCE Saturation (Max) @ IB, IC
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Dodavatel zařízení Package
    VESM
  • Série
    -
  • Rezistor - základna (R1)
    4.7 kOhms
  • Power - Max
    150mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    SOT-723
  • Ostatní jména
    RN1110MFV(TL3,T)
    RN1110MFV(TL3T)TR
    RN1110MFV(TL3T)TR-ND
    RN1110MFV,L3F(B
    RN1110MFV,L3F(T
    RN1110MFVL3F
    RN1110MFVL3F-ND
    RN1110MFVL3FTR
    RN1110MFVTL3T
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    16 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detailní popis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    100mA

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „RN1110MFV,L3F“.
RN1113CT(TPL3)

RN1113CT(TPL3)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1109(T5L,F,T)

RN1109(T5L,F,T)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1113(T5L,F,T)

RN1113(T5L,F,T)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1110,LF(CT

RN1110,LF(CT

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1110CT(TPL3)

RN1110CT(TPL3)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1108CT(TPL3)

RN1108CT(TPL3)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1111,LF(CT

RN1111,LF(CT

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1112(T5L,F,T)

RN1112(T5L,F,T)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1109CT(TPL3)

RN1109CT(TPL3)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1110ACT(TPL3)

RN1110ACT(TPL3)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1112ACT(TPL3)

RN1112ACT(TPL3)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1111MFV,L3F

RN1111MFV,L3F

Popis: X34 PB-F VESM PLN (LF) TRANSISTO

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1110(T5L,F,T)

RN1110(T5L,F,T)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1112CT(TPL3)

RN1112CT(TPL3)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1111ACT(TPL3)

RN1111ACT(TPL3)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1111CT(TPL3)

RN1111CT(TPL3)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1109ACT(TPL3)

RN1109ACT(TPL3)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1109MFV,L3F

RN1109MFV,L3F

Popis: TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1113ACT(TPL3)

RN1113ACT(TPL3)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1109,LF(CT

RN1109,LF(CT

Popis: TRANS PREBIAS NPN 100MW SSM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.