Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Integrované obvody (IC) > Paměť > TC58BYG0S3HBAI6
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2626916TC58BYG0S3HBAI6 Image.Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG0S3HBAI6

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$3.21
10+
$2.885
25+
$2.84
50+
$2.832
100+
$2.53
338+
$2.448
676+
$2.439
1014+
$2.272
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    TC58BYG0S3HBAI6
  • Výrobce / značka
    Kioxia America, Inc.
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    TC58BYG0S3HBAI6.pdf
  • Napište čas cyklu - slovo,
    25ns
  • Napětí - Supply
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technika
    FLASH - NAND (SLC)
  • Dodavatel zařízení Package
    67-VFBGA (6.5x8)
  • Série
    Benand™
  • Obal
    Tray
  • Paket / krabice
    67-VFBGA
  • Ostatní jména
    TC58BYG0S3HBAI6JDH
    TC58BYG0S3HBAI6YCJ
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ paměti
    Non-Volatile
  • Velikost paměti
    1Gb (128M x 8)
  • Paměťové rozhraní
    Parallel
  • Formát paměti
    FLASH
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detailní popis
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
  • přístupová doba
    25ns

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „TC58BYG0S3HBAI6“.
TC58CVG1S3HRAIG

TC58CVG1S3HRAIG

Popis: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

Výrobci: Toshiba Memory America, Inc.
Na skladě
RFQ
TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG1S3HTA00

Popis: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Výrobci: Toshiba Memory America, Inc.
Na skladě
RFQ
TC58CVG0S3HQAIE

TC58CVG0S3HQAIE

Popis: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Výrobci: Toshiba Memory America, Inc.
Na skladě
RFQ
TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0

Popis: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Výrobci: Toshiba Memory America, Inc.
Na skladě
RFQ
TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

Popis: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Výrobci: Toshiba Memory America, Inc.
Na skladě
RFQ
TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

Popis: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Výrobci: Toshiba Memory America, Inc.
Na skladě
RFQ
TC58BVG2S0HBAI4

TC58BVG2S0HBAI4

Popis: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Výrobci: Toshiba Memory America, Inc.
Na skladě
RFQ
TC58BVG0S3HTA00

TC58BVG0S3HTA00

Popis: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Výrobci: Toshiba Memory America, Inc.
Na skladě
RFQ
TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4

Popis: 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Výrobci: Toshiba Memory America, Inc.
Na skladě
RFQ
TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

Popis: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

Výrobci: Toshiba Memory America, Inc.
Na skladě
RFQ
TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00

Popis: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Výrobci: Toshiba Memory America, Inc.
Na skladě
RFQ
TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

Popis: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

Výrobci: Toshiba Memory America, Inc.
Na skladě
RFQ
TC58CYG0S3HRAIG

TC58CYG0S3HRAIG

Popis: 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Výrobci: Toshiba Memory America, Inc.
Na skladě
RFQ
TC58BYG1S3HBAI6

TC58BYG1S3HBAI6

Popis: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Výrobci: Toshiba Memory America, Inc.
Na skladě
RFQ
TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI0

Popis: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Výrobci: Toshiba Memory America, Inc.
Na skladě
RFQ
TC58CYG0S3HQAIE

TC58CYG0S3HQAIE

Popis: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Výrobci: Toshiba Memory America, Inc.
Na skladě
RFQ
TC58BVG1S3HBAI6

TC58BVG1S3HBAI6

Popis: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Výrobci: Toshiba Memory America, Inc.
Na skladě
RFQ
TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG

Popis: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON

Výrobci: Toshiba Memory America, Inc.
Na skladě
RFQ
TC58BVG0S3HTAI0

TC58BVG0S3HTAI0

Popis: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Výrobci: Toshiba Memory America, Inc.
Na skladě
RFQ
TC58BVG1S3HBAI4

TC58BVG1S3HBAI4

Popis: 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

Výrobci: Toshiba Memory America, Inc.
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.