Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > S12JCHM6G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6087568S12JCHM6G Image.TSC (Taiwan Semiconductor)

S12JCHM6G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
6000+
$0.167
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    S12JCHM6G
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1.1V @ 12A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    600V
  • Dodavatel zařízení Package
    DO-214AB (SMC)
  • Rychlost
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Série
    Automotive, AEC-Q101
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    DO-214AB, SMC
  • Provozní teplota - spojení
    -55°C ~ 150°C
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    40 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 600V 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    1µA @ 600V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    12A
  • Kapacitní @ Vr, F
    78pF @ 4V, 1MHz
S12KCHR7G

S12KCHR7G

Popis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12JR

S12JR

Popis: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
S12J

S12J

Popis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
S12GR

S12GR

Popis: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
S12GCHM6G

S12GCHM6G

Popis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12KCHM6G

S12KCHM6G

Popis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12JC V7G

S12JC V7G

Popis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12JC V6G

S12JC V6G

Popis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12KC R7G

S12KC R7G

Popis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12GC V7G

S12GC V7G

Popis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12K

S12K

Popis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
S12GC V6G

S12GC V6G

Popis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12KC V7G

S12KC V7G

Popis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12KC M6G

S12KC M6G

Popis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12KR

S12KR

Popis: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
S12JC R7G

S12JC R7G

Popis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12JC M6G

S12JC M6G

Popis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12GCHR7G

S12GCHR7G

Popis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12KC V6G

S12KC V6G

Popis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12JCHR7G

S12JCHR7G

Popis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení