domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > S12K
Žádost o nabídku
Čeština
4411088

S12K

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
100+
$5.093
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    S12K
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 800V 12A DO4
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • ECAD model
  • Napětí - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    12A
  • Napětí - Rozdělení
    DO-4
  • Série
    -
  • Stav RoHS
    Bulk
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odpor při IF, F
    -
  • Polarizace
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Ostatní jména
    S12KGN
  • Typ montáže
    Chassis, Stud Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    10 Weeks
  • Výrobní číslo výrobce
    S12K
  • Rozšířený popis
    Diode Standard 800V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Konfigurace dioda
    10µA @ 50V
  • Popis
    DIODE GEN PURP 800V 12A DO4
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    1.1V @ 12A
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode)
    800V
  • Kapacitní @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C
S12JC R7G

S12JC R7G

Popis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12JC V7G

S12JC V7G

Popis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12JCHM6G

S12JCHM6G

Popis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12KC V7G

S12KC V7G

Popis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12J

S12J

Popis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
S12JR

S12JR

Popis: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
S12GCHR7G

S12GCHR7G

Popis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12JCHR7G

S12JCHR7G

Popis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12KR

S12KR

Popis: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
S12GR

S12GR

Popis: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
S12KC M6G

S12KC M6G

Popis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12MC M6G

S12MC M6G

Popis: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12MC R7G

S12MC R7G

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12M

S12M

Popis: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
S12JC M6G

S12JC M6G

Popis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12KCHR7G

S12KCHR7G

Popis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12KC R7G

S12KC R7G

Popis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12KCHM6G

S12KCHM6G

Popis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12JC V6G

S12JC V6G

Popis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12KC V6G

S12KC V6G

Popis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě

Review (1)

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení