Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > RS1JL MHG
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1573035RS1JL MHG Image.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1JL MHG

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
10000+
$0.045
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RS1JL MHG
  • Výrobce / značka
    Taiwan Semiconductor
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    RS1JL MHG.pdf
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1.3V @ 800mA
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    600V
  • Dodavatel zařízení Package
    Sub SMA
  • Rychlost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    250ns
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    DO-219AB
  • Ostatní jména
    RS1JL MHG-ND
    RS1JLMHG
  • Provozní teplota - spojení
    -55°C ~ 150°C
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    21 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 600V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    5µA @ 600V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    800mA
  • Kapacitní @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „RS1JL MHG“.
RS1JL RTG

RS1JL RTG

Popis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1JHE3/61T

RS1JHE3/61T

Popis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
RS1JL RUG

RS1JL RUG

Popis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1JL M2G

RS1JL M2G

Popis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1JHE3_A/I

RS1JHE3_A/I

Popis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
RS1JL RFG

RS1JL RFG

Popis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1JLHM2G

RS1JLHM2G

Popis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1JL R3G

RS1JL R3G

Popis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1JL RHG

RS1JL RHG

Popis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1JFSHMWG

RS1JFSHMWG

Popis: DIODE

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1JL MQG

RS1JL MQG

Popis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1JL RVG

RS1JL RVG

Popis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1JFS MXG

RS1JFS MXG

Popis: DIODE, FAST, 1A, 600V

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1JFSHMXG

RS1JFSHMXG

Popis: DIODE, FAST, 1A, 600V

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1JL MTG

RS1JL MTG

Popis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1JHM2G

RS1JHM2G

Popis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1JHE3_A/H

RS1JHE3_A/H

Popis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
RS1JL RQG

RS1JL RQG

Popis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1JHR3G

RS1JHR3G

Popis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1JHE3/5AT

RS1JHE3/5AT

Popis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.