Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > ES3DVHM6G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1378712ES3DVHM6G Image.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES3DVHM6G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
6000+
$0.129
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    ES3DVHM6G
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    900mV @ 3A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    200V
  • Dodavatel zařízení Package
    DO-214AB (SMC)
  • Rychlost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    Automotive, AEC-Q101
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    20ns
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    DO-214AB, SMC
  • Provozní teplota - spojení
    -55°C ~ 150°C
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    15 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    10µA @ 200V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    3A
  • Kapacitní @ Vr, F
    45pF @ 4V, 1MHz
ES3DHM6G

ES3DHM6G

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
ES3DV R7G

ES3DV R7G

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
ES3F V6G

ES3F V6G

Popis: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
ES3F M6G

ES3F M6G

Popis: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
ES3F-M3/9AT

ES3F-M3/9AT

Popis: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
ES3F R7G

ES3F R7G

Popis: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
ES3DPX

ES3DPX

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A CFP5

Výrobci: Nexperia
Na skladě
ES3DV M6G

ES3DV M6G

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
ES3DV V6G

ES3DV V6G

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
ES3DVHR7G

ES3DVHR7G

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
ES3FB M4G

ES3FB M4G

Popis: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
ES3F-M3/57T

ES3F-M3/57T

Popis: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
ES3DHR7G

ES3DHR7G

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
ES3F-E3/57T

ES3F-E3/57T

Popis: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
ES3DHE3J_A/I

ES3DHE3J_A/I

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
ES3DV V7G

ES3DV V7G

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
ES3DHE3_A/H

ES3DHE3_A/H

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
ES3F V7G

ES3F V7G

Popis: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
ES3DHE3_A/I

ES3DHE3_A/I

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
ES3F-E3/9AT

ES3F-E3/9AT

Popis: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení