Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > R6030635ESYA
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1432295

R6030635ESYA

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
30+
$56.102
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    R6030635ESYA
  • Výrobce / značka
    Powerex, Inc.
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    R6030635ESYA.pdf
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1.5V @ 800A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    600V
  • Dodavatel zařízení Package
    DO-205AB, DO-9
  • Rychlost
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    2µs
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Provozní teplota - spojení
    -45°C ~ 150°C
  • Typ montáže
    Chassis, Stud Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    12 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 600V 350A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    50mA @ 600V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    350A
  • Kapacitní @ Vr, F
    -

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „R6030635ESYA“.
R6030KNX

R6030KNX

Popis: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6030825HSYA

R6030825HSYA

Popis: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

Popis: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6030422PSYA

R6030422PSYA

Popis: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6030225HSYA

R6030225HSYA

Popis: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6025FNZC8

R6025FNZC8

Popis: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6030222PSYA

R6030222PSYA

Popis: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Popis: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6030835ESYA

R6030835ESYA

Popis: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6030435ESYA

R6030435ESYA

Popis: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6030235ESYA

R6030235ESYA

Popis: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6030625HSYA

R6030625HSYA

Popis: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6030425HSYA

R6030425HSYA

Popis: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Popis: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

Popis: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6030822PSYA

R6030822PSYA

Popis: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6030KNXC7

R6030KNXC7

Popis: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6030622PSYA

R6030622PSYA

Popis: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9

Popis: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6030ENX

R6030ENX

Popis: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.