Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Ochrana obvodu > TVS - diody > MXP6KE33AE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5485050

MXP6KE33AE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
100+
$17.111
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    MXP6KE33AE3
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC T18
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Napětí - Reverse Standoff (typ)
    1
  • Napětí - upnutí (max.) @ Ipp
    31.4V
  • Napětí - porucha (Min)
    28.2V
  • Napětí - Rozdělení
    T-18
  • Typ
    Zener
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stav RoHS
    Bulk
  • Zvlněný proud - nízká frekvence
    General Purpose
  • Ochrana napájecího vedení
    600W
  • Napájení - špičkový impuls
    13.2A
  • Polarizace
    T-18, Axial
  • Ostatní jména
    1086-13116
    1086-13116-MIL
  • Provozní teplota
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní číslo výrobce
    MXP6KE33AE3
  • Popis
    TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC T18
  • Proud - špičkový impuls (10 / 1000μs)
    45.7V
  • Kapacitní @ Frekvence
    -
  • Obousměrné kanály
    No

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „MXP6KE33AE3“.
MXP6KE30A

MXP6KE30A

Popis: TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP6KE39CAE3

MXP6KE39CAE3

Popis: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXP6KE39CA

MXP6KE39CA

Popis: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXP6KE27CAE3

MXP6KE27CAE3

Popis: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXP6KE33CA

MXP6KE33CA

Popis: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXP6KE33CAE3

MXP6KE33CAE3

Popis: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXP6KE39AE3

MXP6KE39AE3

Popis: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP6KE30CA

MXP6KE30CA

Popis: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXP6KE27AE3

MXP6KE27AE3

Popis: TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP6KE36CA

MXP6KE36CA

Popis: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXP6KE36AE3

MXP6KE36AE3

Popis: TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP6KE27CA

MXP6KE27CA

Popis: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXP6KE30CAE3

MXP6KE30CAE3

Popis: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXP6KE30AE3

MXP6KE30AE3

Popis: TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP6KE27A

MXP6KE27A

Popis: TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP6KE33A

MXP6KE33A

Popis: TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP6KE24CAE3

MXP6KE24CAE3

Popis: TVS DIODE 20.5V 33.2V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXP6KE36A

MXP6KE36A

Popis: TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP6KE39A

MXP6KE39A

Popis: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP6KE36CAE3

MXP6KE36CAE3

Popis: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.