Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Ochrana obvodu > TVS - diody > MSMBJ2K3.3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
887768MSMBJ2K3.3 Image.Microsemi Corporation

MSMBJ2K3.3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    MSMBJ2K3.3
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
    MSMBJ2K3.3.pdf
  • Napětí - Reverse Standoff (typ)
    1
  • Napětí - upnutí (max.) @ Ipp
    4.6V
  • Napětí - porucha (Min)
    3.3V
  • Napětí - Rozdělení
    SMBJ (DO-214AA)
  • Typ
    Zener
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stav RoHS
    Bulk
  • Zvlněný proud - nízká frekvence
    General Purpose
  • Ochrana napájecího vedení
    2000W (2kW)
  • Napájení - špičkový impuls
    10A (8/20µs)
  • Polarizace
    DO-214AA, SMB
  • Ostatní jména
    1086-8081
    1086-8081-MIL
    Q8692517
  • Provozní teplota
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní číslo výrobce
    MSMBJ2K3.3
  • Popis
    TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA
  • Proud - špičkový impuls (10 / 1000μs)
    5.8V
  • Kapacitní @ Frekvence
    -
  • Obousměrné kanály
    No

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „MSMBJ2K3.3“.
MSMBJ2K5.0E3

MSMBJ2K5.0E3

Popis: TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO214AA

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MSMBJ2K4.0E3

MSMBJ2K4.0E3

Popis: TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO214AA

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MSMBJ2K4.5

MSMBJ2K4.5

Popis: TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO214AA

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MSMBJ30A/TR

MSMBJ30A/TR

Popis: TVS

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MSMBJ30A

MSMBJ30A

Popis: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MSMBJ2K5.0

MSMBJ2K5.0

Popis: TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO214AA

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MSMBJ28AE3/TR

MSMBJ28AE3/TR

Popis: TVS

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MSMBJ28A

MSMBJ28A

Popis: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MSMBJ28CAE3

MSMBJ28CAE3

Popis: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MSMBJ2K3.3E3

MSMBJ2K3.3E3

Popis: TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MSMBJ26CAE3

MSMBJ26CAE3

Popis: TVS DIODE 26V 42.1V DO214AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MSMBJ2K4.5E3

MSMBJ2K4.5E3

Popis: TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO214AA

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MSMBJ28CA/TR

MSMBJ28CA/TR

Popis: TVS

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MSMBJ2K4.0

MSMBJ2K4.0

Popis: TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO214AA

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MSMBJ2K3.0

MSMBJ2K3.0

Popis: TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO214AA

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MSMBJ30AE3

MSMBJ30AE3

Popis: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MSMBJ2K3.0E3

MSMBJ2K3.0E3

Popis: TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO214AA

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MSMBJ28A/TR

MSMBJ28A/TR

Popis: TVS

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MSMBJ28CA

MSMBJ28CA

Popis: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO214AA

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MSMBJ28AE3

MSMBJ28AE3

Popis: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.