Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Ochrana obvodu > TVS - diody > MAP6KE47AE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5648063

MAP6KE47AE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    MAP6KE47AE3
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TVS DIODE 40.2V 64.8V T-18
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
    MAP6KE47AE3.pdf
  • Napětí - Reverse Standoff (typ)
    40.2V
  • Napětí - upnutí (max.) @ Ipp
    64.8V
  • Napětí - porucha (Min)
    44.7V
  • Jednosměrné kanály
    1
  • Typ
    Zener
  • Dodavatel zařízení Package
    T-18
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500
  • Ochrana napájecího vedení
    No
  • Napájení - špičkový impuls
    600W
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    T-18, Axial
  • Ostatní jména
    1086-4574
    1086-4574-MIL
  • Provozní teplota
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Proud - špičkový impuls (10 / 1000μs)
    9.3A
  • Kapacitní @ Frekvence
    -
  • Aplikace
    General Purpose

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „MAP6KE47AE3“.
MAP6KE56AE3

MAP6KE56AE3

Popis: TVS DIODE 47.8V 77V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE51CA

MAP6KE51CA

Popis: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE43A

MAP6KE43A

Popis: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE56CA

MAP6KE56CA

Popis: TVS DIODE 47.8V 77V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE39A

MAP6KE39A

Popis: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE39CAE3

MAP6KE39CAE3

Popis: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE51A

MAP6KE51A

Popis: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE51CAE3

MAP6KE51CAE3

Popis: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE47A

MAP6KE47A

Popis: TVS DIODE 40.2V 64.8V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE39CA

MAP6KE39CA

Popis: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE36CAE3

MAP6KE36CAE3

Popis: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE43CAE3

MAP6KE43CAE3

Popis: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE39AE3

MAP6KE39AE3

Popis: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE56A

MAP6KE56A

Popis: TVS DIODE 47.8V 77V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE56CAE3

MAP6KE56CAE3

Popis: TVS DIODE 47.8V 77V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE51AE3

MAP6KE51AE3

Popis: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE43AE3

MAP6KE43AE3

Popis: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE43CA

MAP6KE43CA

Popis: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE47CA

MAP6KE47CA

Popis: TVS DIODE 40.2V 64.8V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE47CAE3

MAP6KE47CAE3

Popis: TVS DIODE 40.2V 64.8V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.