Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > JANTXV1N5554US
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2928706

JANTXV1N5554US

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
100+
$22.299
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    JANTXV1N5554US
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
    JANTXV1N5554US.pdf
  • Napětí - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    3A
  • Napětí - Rozdělení
    D-5B
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500/420
  • Stav RoHS
    Bulk
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odpor při IF, F
    -
  • Polarizace
    SQ-MELF, B
  • Ostatní jména
    1086-19418
    1086-19418-MIL
  • Provozní teplota - spojení
    2µs
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    14 Weeks
  • Výrobní číslo výrobce
    JANTXV1N5554US
  • Rozšířený popis
    Diode Standard 1000V (1kV) 3A Surface Mount D-5B
  • Konfigurace dioda
    1µA @ 1000V
  • Popis
    DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    1.3V @ 9A
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode)
    1000V (1kV)
  • Kapacitní @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „JANTXV1N5554US“.
JANTXV1N5552US

JANTXV1N5552US

Popis: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JANTXV1N5551

JANTXV1N5551

Popis: DIODE GEN PURP 400V 5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JANTXV1N5613

JANTXV1N5613

Popis: TVS DIODE 175V 265V G AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JANTXV1N5615

JANTXV1N5615

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JANTXV1N5546DUR-1

JANTXV1N5546DUR-1

Popis: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JANTXV1N5556

JANTXV1N5556

Popis: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JANTXV1N5615US

JANTXV1N5615US

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JANTXV1N5553

JANTXV1N5553

Popis: DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JANTXV1N5611

JANTXV1N5611

Popis: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JANTXV1N5614

JANTXV1N5614

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JANTXV1N5614US

JANTXV1N5614US

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JANTXV1N5546D-1

JANTXV1N5546D-1

Popis: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JANTXV1N5550US

JANTXV1N5550US

Popis: DIODE GEN PURP 200V 5A D5B

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JANTXV1N5555

JANTXV1N5555

Popis: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JANTXV1N5550

JANTXV1N5550

Popis: DIODE GEN PURP 200V 5A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JANTXV1N5554

JANTXV1N5554

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JANTXV1N5558

JANTXV1N5558

Popis: TVS DIODE 175V 265V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JANTXV1N5612

JANTXV1N5612

Popis: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JANTXV1N5551US

JANTXV1N5551US

Popis: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JANTXV1N5552

JANTXV1N5552

Popis: DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.