JANSR2N7381

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Online poptávka

Specifikace

Part Number

JANSR2N7381
Výrobce / značka

Microsemi
Množství zásob

Na skladě
Popis

N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD
Stav volného vedení / RoHS
Datasheety

JANSR2N7381.pdf
Vgs (th) (max) 'Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technika

MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package

TO-257
Série

Military, MIL-PRF-19500/614
RDS On (Max) @ Id, Vgs

490 mOhm @ 9.4A, 12V
Ztráta energie (Max)

2W (Ta), 75W (Tc)
Paket / krabice

TO-257-3
Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže

Through Hole
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 12V
Typ FET

N-Channel
FET Feature

-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)

12V
Drain na zdroj napětí (Vdss)

200V
Detailní popis

N-Channel 200V 9.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

9.4A (Tc)

Následuje produkty související s „JANSR2N7381“.

JANSR2N5153

Popis: RH POWER BJT

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JANSR2N7269

Popis: N CHANNEL MOSFET TO-254

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JANSR2N7380

Popis: N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JANSR2N7262U

Popis: N CHANNEL MOSFET LCC-18

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JANSR2N5152U3

Popis: RH POWER BJT

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JANSR2N7261U

Popis: N CHANNEL MOSFET LCC-18

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JANTX1N1202A

Popis: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

Výrobci: Microsemi Corporation

Na skladě

RFQ

JANSR2N3810U

Popis: RH SMALL-SIGNAL BJT

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JANSR2N7268U

Popis: N CHANNEL MOSFET SMD-1

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JANTX1N1184R

Popis: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB

Výrobci: Microsemi Corporation

Na skladě

RFQ

JANTX1N1190R

Popis: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JANSR2N7269U

Popis: N CHANNEL MOSFET SMD-1

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JANTX1N1190

Popis: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JANSR2N7389U

Popis: P CHANNEL MOSFET LCC-18

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JANTX1N1202AR

Popis: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

Výrobci: Microsemi Corporation

Na skladě

RFQ

JANSR2N7389

Popis: P CHANNEL MOSFET TO-39

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JANTX1N1188R

Popis: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB

Výrobci: Microsemi Corporation

Na skladě

RFQ

JANSR2N5153U3

Popis: RH POWER BJT

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JANTX1N1186

Popis: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JANTX1N1186R

Popis: SILICON RECTIFIER

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Předběžná registrace

JANSR2N7381

Žádost o nabídku

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

JANSR2N5153

JANSR2N7269

JANSR2N7380

JANSR2N7262U

JANSR2N5152U3

JANSR2N7261U

JANTX1N1202A

JANSR2N3810U

JANSR2N7268U

JANTX1N1184R

JANTX1N1190R

JANSR2N7269U

JANTX1N1190

JANSR2N7389U

JANTX1N1202AR

JANSR2N7389

JANTX1N1188R

JANSR2N5153U3

JANTX1N1186

JANTX1N1186R

Zvolte jazyk

Aktuální jazyk