Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > JAN1N6625U
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6199377

JAN1N6625U

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    JAN1N6625U
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Napětí - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1A
  • Napětí - Rozdělení
    D-5A
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • Stav RoHS
    Bulk
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odpor při IF, F
    -
  • Polarizace
    SQ-MELF, A
  • Ostatní jména
    1086-19975
    1086-19975-MIL
  • Provozní teplota - spojení
    30ns
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní číslo výrobce
    JAN1N6625U
  • Rozšířený popis
    Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A
  • Konfigurace dioda
    1µA @ 1000V
  • Popis
    DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    1.75V @ 1A
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode)
    1000V (1kV)
  • Kapacitní @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „JAN1N6625U“.
JAN1N6628U

JAN1N6628U

Popis: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6627

JAN1N6627

Popis: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6624

JAN1N6624

Popis: DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6626

JAN1N6626

Popis: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6622

JAN1N6622

Popis: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6623

JAN1N6623

Popis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6628

JAN1N6628

Popis: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6625US

JAN1N6625US

Popis: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6626US

JAN1N6626US

Popis: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6628US

JAN1N6628US

Popis: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6627U

JAN1N6627U

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6623US

JAN1N6623US

Popis: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Popis: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6624U

JAN1N6624U

Popis: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6622US

JAN1N6622US

Popis: DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6623U

JAN1N6623U

Popis: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6625

JAN1N6625

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6626U

JAN1N6626U

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6624US

JAN1N6624US

Popis: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6627US

JAN1N6627US

Popis: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.