Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Ochrana obvodu > TVS - diody > JAN1N6162US
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3964057

JAN1N6162US

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
100+
$21.725
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    JAN1N6162US
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
    JAN1N6162US.pdf
  • Napětí - upnutí (max.) @ Ipp
    61.37V
  • Napětí - Spínací
    1
  • Napětí - porucha (Min)
    51.7V
  • Napětí - Rozdělení
    C, SQ-MELF
  • Typ
    Zener
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stav RoHS
    Bulk
  • Zvlněný proud - nízká frekvence
    General Purpose
  • Ochrana napájecího vedení
    1500W (1.5kW)
  • Napájení - špičkový impuls
    14.63A
  • Polarizace
    SQ-MELF, C
  • Ostatní jména
    1086-19733
    1086-19733-MIL
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní číslo výrobce
    JAN1N6162US
  • Popis
    TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG
  • Proud - špičkový impuls (10 / 1000μs)
    101.96V
  • Kapacitní @ Frekvence
    -
  • Obousměrné kanály
    No

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „JAN1N6162US“.
JAN1N6163AUS

JAN1N6163AUS

Popis: TVS DIODE 56VWM 103.1VC CPKG

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6162

JAN1N6162

Popis: TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6163

JAN1N6163

Popis: TVS DIODE 56VWM 108.26VC CPKG

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6160AUS

JAN1N6160AUS

Popis: TVS DIODE 42.6VWM 77VC CPKG

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6161A

JAN1N6161A

Popis: TVS DIODE 47.1V 85.3V C AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6164A

JAN1N6164A

Popis: TVS DIODE 62.2VWM CPKG AXIAL

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6165A

JAN1N6165A

Popis: TVS DIODE 69.2VWM CPKG AXIAL

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6161

JAN1N6161

Popis: TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6164AUS

JAN1N6164AUS

Popis: TVS DIODE 62.2V 112.8V C SQ-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6160US

JAN1N6160US

Popis: TVS DIODE 42.6VWM 80.85VC CPKG

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6161AUS

JAN1N6161AUS

Popis: TVS DIODE 47.1VWM 85.3VC CPKG

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6165

JAN1N6165

Popis: TVS DIODE 69.2V 131.36V C AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6164

JAN1N6164

Popis: TVS DIODE 62.2V 118.44V C AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6162A

JAN1N6162A

Popis: TVS DIODE 51.7V 97.1V C AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6163A

JAN1N6163A

Popis: TVS DIODE 56V 103.1V C AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6161US

JAN1N6161US

Popis: TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6162AUS

JAN1N6162AUS

Popis: TVS DIODE 51.7VWM 97.1VC CPKG

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6164US

JAN1N6164US

Popis: TVS DIODE 62.2V 118.44V SQ-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6160A

JAN1N6160A

Popis: TVS DIODE 42.6V 77V C AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6163US

JAN1N6163US

Popis: TVS DIODE 56VWM 108.26VC CPKG

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.