Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Zener - Single > JAN1N5518B-1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4945962JAN1N5518B-1 Image.Microsemi

JAN1N5518B-1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
142+
$7.531
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    JAN1N5518B-1
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
    JAN1N5518B-1.pdf
  • Napětí - Zener (nom) (Vz)
    3.3V
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1.1V @ 200mA
  • Tolerance
    ±5%
  • Dodavatel zařízení Package
    DO-35 (DO-204AH)
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500/437
  • Power - Max
    500mW
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Ostatní jména
    1086-18928
    1086-18928-MIL
  • Provozní teplota
    -65°C ~ 175°C
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    14 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Impedance (Max) (ZZT)
    26 Ohms
  • Detailní popis
    Zener Diode 3.3V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    5µA @ 1V

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „JAN1N5518B-1“.
JAN1N5420US

JAN1N5420US

Popis: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5518BUR-1

JAN1N5518BUR-1

Popis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N5419

JAN1N5419

Popis: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5519D-1

JAN1N5519D-1

Popis: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5519C-1

JAN1N5519C-1

Popis: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5518C-1

JAN1N5518C-1

Popis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5420

JAN1N5420

Popis: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5519BUR-1

JAN1N5519BUR-1

Popis: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO213AA

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N5518CUR-1

JAN1N5518CUR-1

Popis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5518D-1

JAN1N5518D-1

Popis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5519CUR-1

JAN1N5519CUR-1

Popis: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO213AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5416

JAN1N5416

Popis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5417

JAN1N5417

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5518DUR-1

JAN1N5518DUR-1

Popis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5419US

JAN1N5419US

Popis: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5418

JAN1N5418

Popis: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5418US

JAN1N5418US

Popis: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5416US

JAN1N5416US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5519B-1

JAN1N5519B-1

Popis: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5417US

JAN1N5417US

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.