Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > JAN1N5416
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
614456JAN1N5416 Image.Microsemi

JAN1N5416

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
118+
$8.649
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    JAN1N5416
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
    JAN1N5416.pdf
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1.5V @ 9A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    100V
  • Rychlost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500/411
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    150ns
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    B, Axial
  • Ostatní jména
    1086-2086
    1086-2086-MIL
  • Provozní teplota - spojení
    -65°C ~ 175°C
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    8 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 100V 3A Through Hole
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    1µA @ 100V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    3A
  • Kapacitní @ Vr, F
    -

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „JAN1N5416“.
JAN1N5416US

JAN1N5416US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5418

JAN1N5418

Popis: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5312UR-1

JAN1N5312UR-1

Popis: DIODE CURRENT REG 100V

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5518B-1

JAN1N5518B-1

Popis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5312-1

JAN1N5312-1

Popis: DIODE CURRENT REG 100V

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5417US

JAN1N5417US

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5420

JAN1N5420

Popis: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5311UR-1

JAN1N5311UR-1

Popis: DIODE CURRENT REG 100V

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5420US

JAN1N5420US

Popis: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5314UR-1

JAN1N5314UR-1

Popis: DIODE CURRENT REG 100V

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5418US

JAN1N5418US

Popis: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5417

JAN1N5417

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5415US

JAN1N5415US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5419

JAN1N5419

Popis: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5415

JAN1N5415

Popis: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5314-1

JAN1N5314-1

Popis: DIODE CURRENT REG 100V

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5313-1

JAN1N5313-1

Popis: DIODE CURRENT REG 100V

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5419US

JAN1N5419US

Popis: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5311-1

JAN1N5311-1

Popis: DIODE CURRENT REG 100V

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5313UR-1

JAN1N5313UR-1

Popis: DIODE CURRENT REG 100V

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.