Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > APTM120DA30T1G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2660386

APTM120DA30T1G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
100+
$39.428
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APTM120DA30T1G
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.APTM120DA30T1G.pdf
    2.APTM120DA30T1G.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    SP1
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    360 mOhm @ 25A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    657W (Tc)
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    SP1
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    32 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    14560pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    560nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    1200V
  • Detailní popis
    N-Channel 1200V 31A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    31A (Tc)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APTM120DA30T1G“.
APTM120H29FG

APTM120H29FG

Popis: MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM120H57FTG

APTM120H57FTG

Popis: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM120A20SG

APTM120A20SG

Popis: MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM120A29FTG

APTM120A29FTG

Popis: MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM120DSK57T3G

APTM120DSK57T3G

Popis: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM120A15FG

APTM120A15FG

Popis: MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM10UM02FAG

APTM10UM02FAG

Popis: MOSFET N-CH 100V 570A SP6

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM120DA29TG

APTM120DA29TG

Popis: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM120DU15G

APTM120DU15G

Popis: MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM120H57FT3G

APTM120H57FT3G

Popis: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM120DU29TG

APTM120DU29TG

Popis: MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM120DA30CT1G

APTM120DA30CT1G

Popis: MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM120A80FT1G

APTM120A80FT1G

Popis: MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM120DA56T1G

APTM120DA56T1G

Popis: MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM120DDA57T3G

APTM120DDA57T3G

Popis: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM120DA15G

APTM120DA15G

Popis: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM120A20DG

APTM120A20DG

Popis: MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM120DA68T1G

APTM120DA68T1G

Popis: MOSFET N-CH 1200V 15A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM120A65FT1G

APTM120A65FT1G

Popis: MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM120H140FT1G

APTM120H140FT1G

Popis: MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.