Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > APTM10HM09FT3G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5494138

APTM10HM09FT3G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
100+
$81.642
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APTM10HM09FT3G
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.APTM10HM09FT3G.pdf
    2.APTM10HM09FT3G.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 2.5mA
  • Dodavatel zařízení Package
    SP3
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    10 mOhm @ 69.5A, 10V
  • Power - Max
    390W
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    SP3
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    32 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    9875pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    350nC @ 10V
  • Typ FET
    4 N-Channel (H-Bridge)
  • FET Feature
    Standard
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    100V
  • Detailní popis
    Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    139A

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APTM10HM09FT3G“.
APTM10DSKM19T3G

APTM10DSKM19T3G

Popis: MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM10DUM02G

APTM10DUM02G

Popis: MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM10DDAM09T3G

APTM10DDAM09T3G

Popis: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM10TAM19FPG

APTM10TAM19FPG

Popis: MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM10DHM09T3G

APTM10DHM09T3G

Popis: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM10TAM09FPG

APTM10TAM09FPG

Popis: MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM10UM02FAG

APTM10UM02FAG

Popis: MOSFET N-CH 100V 570A SP6

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM10TDUM09PG

APTM10TDUM09PG

Popis: MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM10UM01FAG

APTM10UM01FAG

Popis: MOSFET N-CH 100V 860A SP6

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM10DUM05TG

APTM10DUM05TG

Popis: MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM10HM19FT3G

APTM10HM19FT3G

Popis: MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM10HM09FTG

APTM10HM09FTG

Popis: MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM10DDAM19T3G

APTM10DDAM19T3G

Popis: MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM10SKM02G

APTM10SKM02G

Popis: MOSFET N-CH 100V 495A SP6

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM10DHM09TG

APTM10DHM09TG

Popis: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM10HM05FG

APTM10HM05FG

Popis: MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM10DHM05G

APTM10DHM05G

Popis: MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM10TDUM19PG

APTM10TDUM19PG

Popis: MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM10DSKM09T3G

APTM10DSKM09T3G

Popis: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM10SKM05TG

APTM10SKM05TG

Popis: MOSFET N-CH 100V 278A SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.