Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - moduly > APTGT50H60T2G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2468885

APTGT50H60T2G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APTGT50H60T2G
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOD IGBT 600V 80A SP2
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    600V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    1.9V @ 15V, 50A
  • Dodavatel zařízení Package
    SP2
  • Série
    -
  • Power - Max
    176W
  • Paket / krabice
    SP2
  • Provozní teplota
    -
  • NTC termistor
    Yes
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Cies) @ Vce
    3.15nF @ 25V
  • Vstup
    Standard
  • Typ IGBT
    Trench Field Stop
  • Detailní popis
    IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 80A 176W Chassis Mount SP2
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    250µA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    80A
  • Konfigurace
    Full Bridge Inverter

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APTGT50H60T2G“.
APTGT50TDU60PG

APTGT50TDU60PG

Popis: IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT50H60T3G

APTGT50H60T3G

Popis: POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT50SK170T1G

APTGT50SK170T1G

Popis: IGBT 1700V 75A 312W SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT50TA60PG

APTGT50TA60PG

Popis: IGBT MOD TRNCH TRPL PH LEG SP6-P

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT50DSK60T3G

APTGT50DSK60T3G

Popis: IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT50H60RT3G

APTGT50H60RT3G

Popis: POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT50H170TG

APTGT50H170TG

Popis: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT50DU120TG

APTGT50DU120TG

Popis: IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT50DU170TG

APTGT50DU170TG

Popis: IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT50SK170D1G

APTGT50SK170D1G

Popis: IGBT 1700V 70A 310W D1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT50SK170TG

APTGT50SK170TG

Popis: IGBT 1700V 75A 312W SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT50SK120TG

APTGT50SK120TG

Popis: IGBT 1200V 75A 277W SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT50SK120D1G

APTGT50SK120D1G

Popis: IGBT 1200V 75A 270W D1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT50H120T3G

APTGT50H120T3G

Popis: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT50DH60TG

APTGT50DH60TG

Popis: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT50H60T1G

APTGT50H60T1G

Popis: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT50DSK120T3G

APTGT50DSK120T3G

Popis: IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT50TDU170PG

APTGT50TDU170PG

Popis: IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT50TA170PG

APTGT50TA170PG

Popis: IGBT MOD TRNCH TRPL PH LEG SP6-P

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT50H120TG

APTGT50H120TG

Popis: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.