Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - moduly > APT75GT120JU3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3264512APT75GT120JU3 Image.Microsemi

APT75GT120JU3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
100+
$25.093
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT75GT120JU3
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.APT75GT120JU3.pdf
    2.APT75GT120JU3.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    1200V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    2.1V @ 15V, 75A
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-227
  • Série
    -
  • Power - Max
    416W
  • Paket / krabice
    ISOTOP
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    32 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Cies) @ Vce
    5.34nF @ 25V
  • Vstup
    Standard
  • Typ IGBT
    Trench Field Stop
  • Detailní popis
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 100A 416W Chassis Mount SOT-227
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    5mA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    100A
  • Konfigurace
    Single

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APT75GT120JU3“.
APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3

Popis: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT75M50L

APT75M50L

Popis: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT77N60SC6

APT77N60SC6

Popis: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT75GP120J

APT75GP120J

Popis: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT75GN60LDQ3G

APT75GN60LDQ3G

Popis: IGBT 600V 155A 536W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT7F120B

APT7F120B

Popis: MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT75GN60BG

APT75GN60BG

Popis: IGBT 600V 155A 536W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT77N60JC3

APT77N60JC3

Popis: MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT7M120S

APT7M120S

Popis: MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT75M50B2

APT75M50B2

Popis: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT75GT120JU2

APT75GT120JU2

Popis: IGBT 1200V 100A 416W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT7M120B

APT7M120B

Popis: MOSFET N-CH 1200V 8A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT77N60BC6

APT77N60BC6

Popis: MOSFET N-CH 600V 77A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT7F100B

APT7F100B

Popis: MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT75GN120JDQ3G

APT75GN120JDQ3G

Popis: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT75GN120LG

APT75GN120LG

Popis: IGBT 1200V 200A 833W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT75GP120B2G

APT75GP120B2G

Popis: IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT75GT120JRDQ3

APT75GT120JRDQ3

Popis: IGBT 1200V 97A 480W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

Popis: IGBT 600V 155A 536W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT7F80K

APT7F80K

Popis: MOSFET N-CH 800V 7A TO-220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.