Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - moduly > APT60GA60JD60
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
834575APT60GA60JD60 Image.Microsemi

APT60GA60JD60

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$33.09
10+
$30.612
30+
$28.13
100+
$26.144
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT60GA60JD60
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 600V 112A 356W SOT-227
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    600V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    2.5V @ 15V, 62A
  • Dodavatel zařízení Package
    ISOTOP®
  • Série
    POWER MOS 8™
  • Power - Max
    356W
  • Paket / krabice
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    28 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Cies) @ Vce
    8.01nF @ 25V
  • Vstup
    Standard
  • Typ IGBT
    PT
  • Detailní popis
    IGBT Module PT Single 600V 112A 356W Chassis Mount ISOTOP®
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    275µA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    112A
  • Konfigurace
    Single

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APT60GA60JD60“.
APT60DQ120BG

APT60DQ120BG

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
APT60GF120JRDQ3

APT60GF120JRDQ3

Popis: IGBT 1200V 149A 625W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT60GF60JU2

APT60GF60JU2

Popis: IGBT 600V 93A 378W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT60DS20HJ

APT60DS20HJ

Popis: MOD DIODE 200V SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT60DF60HJ

APT60DF60HJ

Popis: POWER MOD DIODE 600V 90A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT60M60JLL

APT60M60JLL

Popis: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT60GT60BRG

APT60GT60BRG

Popis: IGBT 600V 100A 500W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT60GF60JU3

APT60GF60JU3

Popis: IGBT 600V 93A 378W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT60M75JFLL

APT60M75JFLL

Popis: MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT60M75JVFR

APT60M75JVFR

Popis: MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT60DQ100LCTG

APT60DQ100LCTG

Popis: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT60DQ120LCTG

APT60DQ120LCTG

Popis: DIODE ARRAY GP 1200V 60A TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT60DS10HJ

APT60DS10HJ

Popis: MOD DIODE 100V SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT60M60JFLL

APT60M60JFLL

Popis: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT60DQ100BG

APT60DQ100BG

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT60M75JLL

APT60M75JLL

Popis: MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT60DS04HJ

APT60DS04HJ

Popis: MOD DIODE 400V SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT60GT60JR

APT60GT60JR

Popis: IGBT 600V 93A 378W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT60DQ60BG

APT60DQ60BG

Popis: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT60DQ60BCTG

APT60DQ60BCTG

Popis: DIODE ARRAY GP 600V 60A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.