Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > APT50GN120B2G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3221309APT50GN120B2G Image.Microsemi

APT50GN120B2G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$11.85
10+
$10.774
30+
$9.966
120+
$9.158
270+
$8.35
510+
$7.811
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT50GN120B2G
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 1200V 134A 543W TO-247
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.APT50GN120B2G.pdf
    2.APT50GN120B2G.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    1200V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • Zkušební podmínky
    800V, 50A, 2.2 Ohm, 15V
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    28ns/320ns
  • přepínání energie
    4495µJ (off)
  • Série
    -
  • Power - Max
    543W
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-3 Variant
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    18 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    NPT, Trench Field Stop
  • Gate Charge
    315nC
  • Detailní popis
    IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    150A
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    134A

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APT50GN120B2G“.
APT50GLQ65JU2

APT50GLQ65JU2

Popis: POWER MODULE - IGBT

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT50GP60B2DQ2G

APT50GP60B2DQ2G

Popis: IGBT 600V 150A 625W TMAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT50GN60BDQ2G

APT50GN60BDQ2G

Popis: IGBT 600V 107A 366W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT50DL120HJ

APT50DL120HJ

Popis: MOD DIODE 1200V SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT50GF120JRDQ3

APT50GF120JRDQ3

Popis: IGBT 1200V 120A 521W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT50GF60JU2

APT50GF60JU2

Popis: IGBT 600V 75A 277W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT50GF120B2RG

APT50GF120B2RG

Popis: IGBT 1200V 135A 781W TMAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT50GF60JU3

APT50GF60JU3

Popis: IGBT 600V 75A 277W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT50GF120LRG

APT50GF120LRG

Popis: IGBT 1200V 135A 781W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT50GF60JCU2

APT50GF60JCU2

Popis: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT50GN120L2DQ2G

APT50GN120L2DQ2G

Popis: IGBT 1200V 134A 543W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT50GP60JDQ2

APT50GP60JDQ2

Popis: IGBT 600V 100A 329W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT50GR120B2

APT50GR120B2

Popis: IGBT 1200V 117A 694W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT50GP60J

APT50GP60J

Popis: IGBT 600V 100A 329W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT50GP60LDLG

APT50GP60LDLG

Popis: IGBT 600V 150A 625W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT50DF170HJ

APT50DF170HJ

Popis: MOD DIODE 1700V SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT50GR120JD30

APT50GR120JD30

Popis: IGBT 1200V 84A 417W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT50GP60BG

APT50GP60BG

Popis: IGBT 600V 100A 625W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT50GN60BG

APT50GN60BG

Popis: IGBT 600V 107A 366W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT50DL60HJ

APT50DL60HJ

Popis: MOD DIODE 600V SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.