Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > APT30GP60B2DLG
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
554311APT30GP60B2DLG Image.Microsemi

APT30GP60B2DLG

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
60+
$9.88
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT30GP60B2DLG
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 600V 100A 463W TMAX
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    APT30GP60B2DLG.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    600V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    2.7V @ 15V, 30A
  • Zkušební podmínky
    400V, 30A, 5 Ohm, 15V
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    13ns/55ns
  • přepínání energie
    260µJ (on), 250µJ (off)
  • Dodavatel zařízení Package
    T-MAX™
  • Série
    -
  • Power - Max
    463W
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    23 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    PT
  • Gate Charge
    90nC
  • Detailní popis
    IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole T-MAX™
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    120A
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    100A

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APT30GP60B2DLG“.
APT30GS60BRDQ2G

APT30GS60BRDQ2G

Popis: IGBT 600V 54A 250W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT30GT60KRG

APT30GT60KRG

Popis: IGBT 600V 64A 250W TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT30DS60BG

APT30DS60BG

Popis: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT30DS20HJ

APT30DS20HJ

Popis: DIODE MODULE 200V SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT30F60J

APT30F60J

Popis: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT30GT60BRDQ2G

APT30GT60BRDQ2G

Popis: IGBT 600V 64A 250W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

Popis: IGBT 600V 67A 245W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

Popis: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT30GS60BRDLG

APT30GS60BRDLG

Popis: IGBT 600V 54A 250W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT30GP60LDLG

APT30GP60LDLG

Popis: IGBT 600V 100A 463W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT30F50B

APT30F50B

Popis: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

Popis: IGBT 600V 100A 463W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

Popis: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT30DQ60KG

APT30DQ60KG

Popis: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT30F50S

APT30F50S

Popis: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT30GS60KRG

APT30GS60KRG

Popis: IGBT 600V 54A 250W TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT30GP60BG

APT30GP60BG

Popis: IGBT 600V 100A 463W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT30GT60BRG

APT30GT60BRG

Popis: IGBT 600V 64A 250W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT30GN60BG

APT30GN60BG

Popis: IGBT 600V 63A 203W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT30GN60BDQ2G

APT30GN60BDQ2G

Popis: IGBT 600V 63A 203W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.