Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - moduly > APT30GF60JU3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
7000121APT30GF60JU3 Image.Microsemi

APT30GF60JU3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT30GF60JU3
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 600V 58A 192W SOT227
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    600V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    2.5V @ 15V, 30A
  • Dodavatel zařízení Package
    ISOTOP®
  • Série
    -
  • Power - Max
    192W
  • Paket / krabice
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Provozní teplota
    -
  • NTC termistor
    No
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Cies) @ Vce
    1.85nF @ 25V
  • Vstup
    Standard
  • Typ IGBT
    NPT
  • Detailní popis
    IGBT Module NPT Single 600V 58A 192W Chassis Mount ISOTOP®
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    40µA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    58A
  • Konfigurace
    Single
APT30F50S

APT30F50S

Popis: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT30GS60BRDQ2G

APT30GS60BRDQ2G

Popis: IGBT 600V 54A 250W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

Popis: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT30DS20HJ

APT30DS20HJ

Popis: DIODE MODULE 200V SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT30F50B

APT30F50B

Popis: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT30DQ60BG

APT30DQ60BG

Popis: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT30GP60BG

APT30GP60BG

Popis: IGBT 600V 100A 463W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT30GN60BDQ2G

APT30GN60BDQ2G

Popis: IGBT 600V 63A 203W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT30GP60LDLG

APT30GP60LDLG

Popis: IGBT 600V 100A 463W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT30GS60KRG

APT30GS60KRG

Popis: IGBT 600V 54A 250W TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT30GS60BRDLG

APT30GS60BRDLG

Popis: IGBT 600V 54A 250W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT30DQ60BCTG

APT30DQ60BCTG

Popis: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT30DQ60KG

APT30DQ60KG

Popis: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

Popis: IGBT 600V 67A 245W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT30F60J

APT30F60J

Popis: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

Popis: IGBT 600V 100A 463W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT30GN60BG

APT30GN60BG

Popis: IGBT 600V 63A 203W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT30DQ60BHBG

APT30DQ60BHBG

Popis: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT30DS60BG

APT30DS60BG

Popis: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

Popis: IGBT 600V 100A 463W TMAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení