Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > APT29F80J
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5099426APT29F80J Image.Microsemi

APT29F80J

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
20+
$32.476
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT29F80J
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.APT29F80J.pdf
    2.APT29F80J.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    ISOTOP®
  • Série
    POWER MOS 8™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    210 mOhm @ 24A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    543W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    21 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    9326pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    303nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    800V
  • Detailní popis
    N-Channel 800V 31A (Tc) 543W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    31A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APT29F80J“.
APT2X100D60J

APT2X100D60J

Popis: DIODE MODULE 600V 100A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

Popis: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

Popis: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT28F60S

APT28F60S

Popis: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT2X100DQ60J

APT2X100DQ60J

Popis: DIODE MODULE 600V 100A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT28F60B

APT28F60B

Popis: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT29F100B2

APT29F100B2

Popis: MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT2X100D120J

APT2X100D120J

Popis: DIODE MODULE 1.2KV 93A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT27HZTR-G1

APT27HZTR-G1

Popis: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
APT2X100DQ120J

APT2X100DQ120J

Popis: DIODE MODULE 1.2KV 100A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT2X100D40J

APT2X100D40J

Popis: DIODE MODULE 400V 100A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT27GA90BD15

APT27GA90BD15

Popis: IGBT 900V 48A 223W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT28M120B2

APT28M120B2

Popis: MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT2X100DQ100J

APT2X100DQ100J

Popis: DIODE MODULE 1KV 100A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT28M120L

APT28M120L

Popis: MOSFET N-CH 1200V 29A TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT2X100D100J

APT2X100D100J

Popis: DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT2X100D30J

APT2X100D30J

Popis: DIODE MODULE 300V 100A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT2X101D100J

APT2X101D100J

Popis: DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT29F100L

APT29F100L

Popis: MOSFET N-CH 1000V 30A TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT2X100D20J

APT2X100D20J

Popis: DIODE MODULE 200V 100A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.