Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - jednoduché > APT27ZTR-G1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1311752

APT27ZTR-G1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2000+
$0.083
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT27ZTR-G1
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS NPN 450V 0.8A TO92
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olovo a RoHS
  • Datasheety
    APT27ZTR-G1.pdf
  • ECAD model
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    450V
  • VCE Saturation (Max) @ IB, IC
    500mV @ 40mA, 200mA
  • Transistor Type
    NPN
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-92
  • Série
    -
  • Power - Max
    800mW
  • Paket / krabice
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Frekvence - Přechod
    -
  • Detailní popis
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 800mA 800mW Through Hole TO-92
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    15 @ 100mA, 10V
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    10µA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    800mA

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APT27ZTR-G1“.
APT26F120B2

APT26F120B2

Popis: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT2X100D120J

APT2X100D120J

Popis: DIODE MODULE 1.2KV 93A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT29F100B2

APT29F100B2

Popis: MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25SM120S

APT25SM120S

Popis: POWER MOSFET - SIC

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT29F80J

APT29F80J

Popis: MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25GT120BRG

APT25GT120BRG

Popis: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT27GA90BD15

APT27GA90BD15

Popis: IGBT 900V 48A 223W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25SM120B

APT25SM120B

Popis: POWER MOSFET - SIC

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT27HZTR-G1

APT27HZTR-G1

Popis: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
APT28F60S

APT28F60S

Popis: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT2X100D100J

APT2X100D100J

Popis: DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25M100J

APT25M100J

Popis: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

Popis: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

Popis: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT29F100L

APT29F100L

Popis: MOSFET N-CH 1000V 30A TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT28M120L

APT28M120L

Popis: MOSFET N-CH 1200V 29A TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT26F120L

APT26F120L

Popis: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT28F60B

APT28F60B

Popis: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT2X100D20J

APT2X100D20J

Popis: DIODE MODULE 200V 100A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT28M120B2

APT28M120B2

Popis: MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.