Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > APT20M22B2VFRG
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4210308APT20M22B2VFRG Image.Microsemi

APT20M22B2VFRG

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT20M22B2VFRG
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.APT20M22B2VFRG.pdf
    2.APT20M22B2VFRG.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    T-MAX™ [B2]
  • Série
    POWER MOS V®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 500mA, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    520W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-3 Variant
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    10200pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    435nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    200V
  • Detailní popis
    N-Channel 200V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APT20M22B2VFRG“.
APT20M120JCU2

APT20M120JCU2

Popis: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT20M38BVFRG

APT20M38BVFRG

Popis: MOSFET N-CH 200V 67A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT20M11JVR

APT20M11JVR

Popis: MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT20M22LVRG

APT20M22LVRG

Popis: MOSFET N-CH 200V 100A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT20GT60BRDQ1G

APT20GT60BRDQ1G

Popis: IGBT 600V 43A 174W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT20M11JVFR

APT20M11JVFR

Popis: MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT20GN60BG

APT20GN60BG

Popis: IGBT 600V 40A 136W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT20M22JVRU3

APT20M22JVRU3

Popis: MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT20M22B2VRG

APT20M22B2VRG

Popis: MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT20M120JCU3

APT20M120JCU3

Popis: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT20M19JVR

APT20M19JVR

Popis: MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT20M22JVRU2

APT20M22JVRU2

Popis: MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT20GN60BDQ1G

APT20GN60BDQ1G

Popis: IGBT 600V 40A 136W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT20M38BVRG

APT20M38BVRG

Popis: MOSFET N-CH 200V 67A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT20M38SVFRG

APT20M38SVFRG

Popis: MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT20M38SVRG

APT20M38SVRG

Popis: MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT20M38SVRG/TR

APT20M38SVRG/TR

Popis: MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT20M22LVFRG

APT20M22LVFRG

Popis: MOSFET N-CH 200V 100A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT20GF120BRG

APT20GF120BRG

Popis: IGBT 1200V 32A 200W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT20GT60BRG

APT20GT60BRG

Popis: IGBT 600V 43A 174W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.