1N646-1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

596+

$1.544

Online poptávka

Specifikace

Part Number

1N646-1
Výrobce / značka

Microsemi
Množství zásob

Na skladě
Popis

DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35
Stav volného vedení / RoHS

Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
Datasheety

1N646-1.pdf
Napětí - Forward (VF) (Max) @-li

1V @ 400mA
Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)

300V
Dodavatel zařízení Package

DO-35
Rychlost

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série

-
Obal

Bulk
Paket / krabice

DO-204AH, DO-35, Axial
Provozní teplota - spojení

-65°C ~ 175°C
Typ montáže

Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Diode Type

Standard
Detailní popis

Diode Standard 300V 400mA Through Hole DO-35
Proud - zpìtný únikový @ Vr

50nA @ 300V
Proud - Průměrná Rektifikova (Io)

400mA
Kapacitní @ Vr, F

-

Následuje produkty související s „1N646-1“.

1N6461US

Popis: TVS DIODE 5V 9V B AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N6462US

Popis: TVS DIODE 6V 11V B SQ-MELF

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N6462US

Popis: TVS DIODE 6V 11V

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N6392

Popis: DIODE SCHOTTKY 45V 60A DO203AB

Výrobci: Vishay Semiconductor Diodes Division

Na skladě

RFQ

1N6461

Popis: TVS DIODE 5V 9V AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N6461

Popis: TVS DIODE 5VWM 9VC BPKG AXIAL

Výrobci: Microsemi Corporation

Na skladě

RFQ

1N646

Popis: SILICON SWITCHING DIODES

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N6386HE3_A/D

Popis: TVS DIODE 18V 25.5V 1.5KE

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

1N6461US

Popis: TVS DIODE 5V 9V B AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N645-1

Popis: DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N6461US/TR

Popis: TVS DIODE 5V 9V B SQ-MELF

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N6462

Popis: TVS DIODE 6V 11V AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N6463

Popis: TVS DIODE 12V 22.6V AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N645-1E3

Popis: SWITCHING DIODE

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N6386HE3_A/C

Popis: TVS DIODE 18V 25.5V 1.5KE

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

1N6392

Popis: DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO5

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N6462

Popis: TVS DIODE 6V 11V AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N6386HE3/51

Popis: DIODE GEN PURPOSE 1.5KE

Výrobci: Vishay Semiconductor Diodes Division

Na skladě

RFQ

1N645UR-1

Popis: DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N6391

Popis: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Předběžná registrace

1N646-1

Žádost o nabídku

Referenční cena (v amerických dolarech)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

1N6461US

1N6462US

1N6462US

1N6392

1N6461

1N6461

1N646

1N6386HE3_A/D

1N6461US

1N645-1

1N6461US/TR

1N6462

1N6463

1N645-1E3

1N6386HE3_A/C

1N6392

1N6462

1N6386HE3/51

1N645UR-1

1N6391

Zvolte jazyk

Aktuální jazyk