1N6079US

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

100+

$32.185

Online poptávka

Specifikace

Part Number

1N6079US
Výrobce / značka

Microsemi
Množství zásob

Na skladě
Popis

DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF
Stav volného vedení / RoHS

Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
Datasheety

1N6079US.pdf
Napětí - Forward (VF) (Max) @-li

1.5V @ 37.7A
Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)

50V
Dodavatel zařízení Package

G-MELF (D-5C)
Rychlost

Fast Recovery = 200mA (Io)
Série

-
Reverse Time Recovery (TRR)

30ns
Obal

Bulk
Paket / krabice

SQ-MELF, G
Provozní teplota - spojení

-65°C ~ 155°C
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Diode Type

Standard
Detailní popis

Diode Standard 50V 2A Surface Mount G-MELF (D-5C)
Proud - zpìtný únikový @ Vr

10µA @ 50V
Proud - Průměrná Rektifikova (Io)

2A
Kapacitní @ Vr, F

-

Následuje produkty související s „1N6079US“.

1N6080

Popis: DIODE GEN PURP 100V 5A AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N6075US

Popis: DIODE GEN PURP 150V 3A D5A

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N6096

Popis: DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor

Na skladě

RFQ

1N6080US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N6095

Popis: DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor

Na skladě

RFQ

1N6081US

Popis: DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N6075

Popis: DIODE GEN PURP 150V 850MA AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N6080

Popis: DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N6081

Popis: DIODE GEN PURP 150V 5A AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N6096

Popis: SCHOTTKY RECTIFIER

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N6081

Popis: DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N6076

Popis: DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N6077

Popis: DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N6076US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 6A D5B

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N6095R

Popis: DIODE SCHOTTKY REV 30V DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor

Na skladě

RFQ

1N6079

Popis: DIODE GEN PURP 50V 5A AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N6078US

Popis: DIODE GEN PURP 150V 6A D5B

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N6078

Popis: DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N6079

Popis: DIODE GEN PURP 50V 2A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N6077US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 6A D5B

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Předběžná registrace

1N6079US

Žádost o nabídku

Referenční cena (v amerických dolarech)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

1N6080

1N6075US

1N6096

1N6080US

1N6095

1N6081US

1N6075

1N6080

1N6081

1N6096

1N6081

1N6076

1N6077

1N6076US

1N6095R

1N6079

1N6078US

1N6078

1N6079

1N6077US

Zvolte jazyk

Aktuální jazyk