203623

1N5190

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

125+

$7.77

Online poptávka

Specifikace

Part Number

1N5190
Výrobce / značka

Microsemi
Množství zásob

Na skladě
Popis

DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
Stav volného vedení / RoHS

Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
Datasheety

1N5190.pdf
Napětí - Forward (VF) (Max) @-li

1.5V @ 9A
Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)

600V
Dodavatel zařízení Package

-
Rychlost

Fast Recovery = 200mA (Io)
Série

-
Reverse Time Recovery (TRR)

400ns
Obal

Bulk
Paket / krabice

B, Axial
Provozní teplota - spojení

-65°C ~ 175°C
Typ montáže

Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby

7 Weeks
Stav volného vedení / RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Diode Type

Standard
Detailní popis

Diode Standard 600V 3A Through Hole
Proud - zpìtný únikový @ Vr

2µA @ 600V
Proud - Průměrná Rektifikova (Io)

3A
Kapacitní @ Vr, F

-

Následuje produkty související s „1N5190“.

1N5188US

Popis: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5221A (DO-35)

Popis: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35

Výrobci: Microsemi Corporation

Na skladě

RFQ

1N5221B (DO-35)

Popis: DIODE ZENER 24V 500MW DO35

Výrobci: Microsemi Corporation

Na skladě

RFQ

1N5186US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5194UR

Popis: DIODE GEN PURP 70V 200MA DO213AA

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5194

Popis: DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5187US

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5184

Popis: DIODE GEN PURP 10KV 100MA SAXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5221B

Popis: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

RFQ

1N5187

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5189US

Popis: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5188

Popis: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5195

Popis: DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5196

Popis: DIODE GEN PURP 225V 200MA DO35

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5183

Popis: DIODE GEN PURP 7.5KV 100MA AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5221B A0G

Popis: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na skladě

RFQ

1N5196UR

Popis: DIODE GEN PURP 225V 200MA DO213

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5186

Popis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5195UR

Popis: DIODE GEN PURP 180V 200MA DO213

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5189

Popis: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Předběžná registrace

1N5190

Žádost o nabídku

Referenční cena (v amerických dolarech)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

1N5188US

1N5221A (DO-35)

1N5221B (DO-35)

1N5186US

1N5194UR

1N5194

1N5187US

1N5184

1N5221B

1N5187

1N5189US

1N5188

1N5195

1N5196

1N5183

1N5221B A0G

1N5196UR

1N5186

1N5195UR

1N5189

Zvolte jazyk

Aktuální jazyk