1N4448

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

794+

$1.045

Online poptávka

Specifikace

Part Number

1N4448
Výrobce / značka

Microsemi
Množství zásob

Na skladě
Popis

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
Stav volného vedení / RoHS

Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
Datasheety

1N4448.pdf
Napětí - Forward (VF) (Max) @-li

1V @ 100mA
Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)

75V
Dodavatel zařízení Package

DO-35
Rychlost

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Série

-
Reverse Time Recovery (TRR)

4ns
Obal

Bulk
Paket / krabice

DO-204AH, DO-35, Axial
Ostatní jména

1N4448MS
Provozní teplota - spojení

-65°C ~ 150°C
Typ montáže

Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Diode Type

Standard
Detailní popis

Diode Standard 75V 200mA Through Hole DO-35
Proud - zpìtný únikový @ Vr

25nA @ 20V
Proud - Průměrná Rektifikova (Io)

200mA
Kapacitní @ Vr, F

-

Následuje produkty související s „1N4448“.

1N4448,133

Popis: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Výrobci: Nexperia

Na skladě

RFQ

1N4448-T

Popis: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

RFQ

1N4444-1

Popis: DIODE SWITCHING

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N4448-A

Popis: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

1N4446 BK

Popis: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Výrobci: Central Semiconductor

Na skladě

RFQ

1N4446_T50R

Popis: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

RFQ

1N4446

Popis: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

RFQ

1N4447

Popis: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ