Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Integrované obvody (IC) > Paměť > MT47H32M16U67A3WC1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4851368

MT47H32M16U67A3WC1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$7.63
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    MT47H32M16U67A3WC1
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IC DRAM 512M PARALLEL WAFER
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Napište čas cyklu - slovo,
    -
  • Napětí - Supply
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technika
    SDRAM - DDR2
  • Série
    -
  • Provozní teplota
    -
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ paměti
    Volatile
  • Velikost paměti
    512Mb (32M x 16)
  • Paměťové rozhraní
    Parallel
  • Formát paměti
    DRAM
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detailní popis
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel
MT47H512M4EB-187E:C

MT47H512M4EB-187E:C

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H32M16NF-25E IT:H TR

MT47H32M16NF-25E IT:H TR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H512M4EB-3:C

MT47H512M4EB-3:C

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H512M4EB-25E:C

MT47H512M4EB-25E:C

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H32M8BP-37E:B TR

MT47H32M8BP-37E:B TR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H32M8BP-37V:B

MT47H32M8BP-37V:B

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H32M16NF-187E:H

MT47H32M16NF-187E:H

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H32M16HW-25E:G

MT47H32M16HW-25E:G

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H32M16NF-25E AIT:H

MT47H32M16NF-25E AIT:H

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H512M4THN-25E:H

MT47H512M4THN-25E:H

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H32M16NF-25E IT:H

MT47H32M16NF-25E IT:H

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H32M16NF-187E:H TR

MT47H32M16NF-187E:H TR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H32M8BP-3:B TR

MT47H32M8BP-3:B TR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H32M16NF-25E AAT:H

MT47H32M16NF-25E AAT:H

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H512M4EB-25E:C TR

MT47H512M4EB-25E:C TR

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H32M16NF-25E AUT:H

MT47H32M16NF-25E AUT:H

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H32M16NF-25E:H

MT47H32M16NF-25E:H

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H32M8BP-5E:B

MT47H32M8BP-5E:B

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H32M8BP-5E:B TR

MT47H32M8BP-5E:B TR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení