Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Integrované obvody (IC) > Paměť > MT47H256M8EB-187E:C
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4016350

MT47H256M8EB-187E:C

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1000+
$17.761
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    MT47H256M8EB-187E:C
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Napište čas cyklu - slovo,
    15ns
  • Napětí - Supply
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technika
    SDRAM - DDR2
  • Dodavatel zařízení Package
    60-FBGA (9x11.5)
  • Série
    -
  • Obal
    Tray
  • Paket / krabice
    60-TFBGA
  • Provozní teplota
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ paměti
    Volatile
  • Velikost paměti
    2Gb (256M x 8)
  • Paměťové rozhraní
    Parallel
  • Formát paměti
    DRAM
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detailní popis
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 533MHz 350ps 60-FBGA (9x11.5)
  • Frekvence hodin
    533MHz
  • Číslo základní části
    MT47H256M8
  • přístupová doba
    350ps
MT47H256M4CF-3:H

MT47H256M4CF-3:H

Popis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H256M4CF-25:H

MT47H256M4CF-25:H

Popis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H256M8EB-3:C

MT47H256M8EB-3:C

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H256M4SH-25E:M

MT47H256M4SH-25E:M

Popis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H256M8EB-187E:C TR

MT47H256M8EB-187E:C TR

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H256M8EB-25E:C

MT47H256M8EB-25E:C

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H256M4HQ-187E:E TR

MT47H256M4HQ-187E:E TR

Popis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H256M4HQ-3:E TR

MT47H256M4HQ-3:E TR

Popis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H256M4CF-3 IT:H

MT47H256M4CF-3 IT:H

Popis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H256M4CF-3:H TR

MT47H256M4CF-3:H TR

Popis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H256M8EB-25E IT:C

MT47H256M8EB-25E IT:C

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H256M8EB-25E AIT:C

MT47H256M8EB-25E AIT:C

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H256M4CF-25E:H

MT47H256M4CF-25E:H

Popis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H256M8EB-25E XIT:C

MT47H256M8EB-25E XIT:C

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H256M8EB-25E AIT:C TR

MT47H256M8EB-25E AIT:C TR

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H256M4CF-25E:H TR

MT47H256M4CF-25E:H TR

Popis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H256M8EB-25E:C TR

MT47H256M8EB-25E:C TR

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H256M4HQ-5E:E TR

MT47H256M4HQ-5E:E TR

Popis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H256M8EB-25E XIT:C TR

MT47H256M8EB-25E XIT:C TR

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT47H256M8EB-25E IT:C TR

MT47H256M8EB-25E IT:C TR

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení