Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Integrované obvody (IC) > Paměť > MT29E4T08EYHBBG9-3:B
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5355546

MT29E4T08EYHBBG9-3:B

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
980+
$213.362
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    MT29E4T08EYHBBG9-3:B
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Napište čas cyklu - slovo,
    -
  • Napětí - Supply
    2.5 V ~ 3.6 V
  • Technika
    FLASH - NAND
  • Série
    -
  • Provozní teplota
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ paměti
    Non-Volatile
  • Velikost paměti
    4Tb (512G x 8)
  • Paměťové rozhraní
    Parallel
  • Formát paměti
    FLASH
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detailní popis
    FLASH - NAND Memory IC 4Tb (512G x 8) Parallel 333MHz
  • Frekvence hodin
    333MHz
MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR

MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR

Popis: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

Popis: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT29E3T08EQHBBG2-3:B

MT29E3T08EQHBBG2-3:B

Popis: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

Popis: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR

MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR

Popis: IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT29E512G08CMCCBH7-6:C

MT29E512G08CMCCBH7-6:C

Popis: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT29E3T08EUHBBM4-3:B

MT29E3T08EUHBBM4-3:B

Popis: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Popis: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

Popis: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR

MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR

Popis: IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT29E4T08CTHBBM5-3:B

MT29E4T08CTHBBM5-3:B

Popis: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR

MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR

Popis: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

Popis: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

Popis: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

Popis: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B

MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B

Popis: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

Popis: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

Popis: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT29E512G08CKCCBH7-6:C

MT29E512G08CKCCBH7-6:C

Popis: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

Popis: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení