Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Integrované obvody (IC) > Paměť > MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4445922

MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1000+
$5.294
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR
  • Výrobce / značka
    Micron Technology
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Napište čas cyklu - slovo,
    -
  • Napětí - Supply
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technika
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
  • Dodavatel zařízení Package
    130-VFBGA (8x9)
  • Série
    -
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    130-VFBGA
  • Ostatní jména
    MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR-ND
    MT29C1G12MAADAFAMD-6EITTR
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ paměti
    Non-Volatile
  • Velikost paměti
    1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
  • Paměťové rozhraní
    Parallel
  • Formát paměti
    FLASH, RAM
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detailní popis
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) Parallel 166MHz 130-VFBGA (8x9)
  • Frekvence hodin
    166MHz
  • Číslo základní části
    MT29C1G12M

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR“.
MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT TR

MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT TR

Popis: IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT TR

MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT TR

Popis: IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT29C1G12MAADAEAKC-6 IT

MT29C1G12MAADAEAKC-6 IT

Popis: IC FLASH RAM 1G PARAL 107VFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT29C1G12MAADVAKC-5 IT

MT29C1G12MAADVAKC-5 IT

Popis: IC FLASH RAM 1G PARAL 107TFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT TR

MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT TR

Popis: IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT29C1G12MAACYAMD-5 IT

MT29C1G12MAACYAMD-5 IT

Popis: IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT29C1G12MAADVAML-5 IT

MT29C1G12MAADVAML-5 IT

Popis: IC FLASH RAM 1G PARAL 153VFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT

MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT

Popis: IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT29C1G12MAACYAMD-5 IT TR

MT29C1G12MAACYAMD-5 IT TR

Popis: IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT

MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT

Popis: IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT

MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT

Popis: IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT29C1G12MAACYAKD-5 IT TR

MT29C1G12MAACYAKD-5 IT TR

Popis: IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT

MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT

Popis: IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT29C1G12MAADYAKD-5 IT

MT29C1G12MAADYAKD-5 IT

Popis: IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT29C1G12MAADVAMD-5 IT TR

MT29C1G12MAADVAMD-5 IT TR

Popis: IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT

MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT

Popis: IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT29C1G12MAACYAML-5 IT

MT29C1G12MAACYAML-5 IT

Popis: IC FLASH RAM 1G PARAL 153VFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT29C1G12MAADVAMD-5 IT

MT29C1G12MAADVAMD-5 IT

Popis: IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR

MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR

Popis: IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT29C1G12MAADYAKD-5 IT TR

MT29C1G12MAADYAKD-5 IT TR

Popis: IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.